StorageReview.com

Vysokorychlostní flash paměť získává svou první otevřenou specifikaci: 512GB stack a až 3.0 TB/s

Enterprise  ◇  SSD

Společnosti Sandisk a SK hynix zveřejnily první technickou specifikaci HBF (High Bandwidth Flash) prostřednictvím projektu Open Compute Project, šest měsíců poté, co obě společnosti v únoru vytvořily pracovní skupinu HBF. Společnosti Google a Tenstorrent se ke konsorciu připojily během procesu standardizace a specifikace je nyní volně dostupná pro všechny společnosti, které navrhují systémy pro inferenci nebo akcelerátory umělé inteligence.

HBF je řešení problému s DRAM založené na NAND. Inference umělé inteligence vyžaduje paměť s vysokou šířkou pásma blízkou výpočetní kapacitě, ale kapacita HBM je omezená a drahá, zatímco velikosti modelů a kontextová okna neustále rostou. HBF se pohybuje mezi dvěma extrémy: zásobníky založené na flash paměti, které vyměňují část rychlosti HBM za mnohem větší kapacitu a perzistenci, což dává systémovým návrhářům úroveň pro váhy modelů a dlouhodobá kontextová data, která se již nevejdou do DRAM, ale nemohou existovat na SSD.

Specifikace za tímto konceptem uvádí reálná čísla. Podle SK hynix se stacky HBF dodávají v konfiguracích s 8 a 16 paměťovými čipy NAND s kapacitou až 512 GB na stack, se třemi výkonnostními stupni od 0.4 TB/s do 3.0 TB/s, propojenými přes standard UCIe. Dokument definuje hostitelské rozhraní xPU-HBF, elektrické směrnice, základní očekávání výkonu, spolehlivost a pokyny pro balení stacku HBF a uživatelskou příručku pro softwarové operace čtení a zápisu. Společnosti navrhly specifikaci tak, aby HBF mohl koexistovat s HBM ve stejném systému, a nikoli je nahrazovat.Schéma High Bandwidth Flash jako nové paměťové vrstvy mezi HBM a SSD s obrázky z první specifikace HBF

Společnosti Sandisk a SK hynix se ohledně své strategie explicitně vyjadřují: publikovat včas a otevřeně prostřednictvím OCP, aby se HBF stal de facto standardem pro trh s úložišti s umělou inteligencí, než konkurenti definují alternativu. „Inference umělé inteligence vytváří novou sadu požadavků na paměť a technologie HBF je navržena tak, aby tento okamžik splnila,“ řekl Alper Ilkbahar, technický ředitel společnosti Sandisk, a označil tuto specifikaci za milník „pro další generaci systémů umělé inteligence postavených na zlepšení ekonomiky tokenů ve velkém měřítku“. Matematika kapacity je stejná jako ta, která vede k přesunu mezipaměti KV do flash paměti : udržování kontextu v levnější a hustší vrstvě zvyšuje počet tokenů a uživatelů, které může každý akcelerátor obsloužit.

BiCS10 QLC si nárokuje korunu hustoty

Další oznámení společnosti Sandisk ohledně FMS přišlo s technologií Kioxia: BiCS10 QLC, desátou generací čtyřúrovňové 3D NAND paměti od obou společností. Společnosti uvádějí, že nový čip nabízí o 60 % vyšší bitovou hustotu než jejich QLC 8. generace a s více než 37 Gb/mm² nejvyšší bitovou hustotou pro QLC NAND v oboru. Nese stejných 332 aktivních vrstev jako čip BiCS10 TLC, jehož vzorkování se začalo vyrábět v červenci , a je postaven na stejném procesu CBA (CMOS přímo spojené s polem), který vyrábí logiku a paměťové pole na oddělených waferech před jejich spojením.

Co se týče rozhraní, BiCS10 QLC využívá paměť Toggle DDR6.0 s rychlostí 4.8 Gb/s a protokolem Separate Command Address a přidává Power-Isolated Low-Tapped Termination pro zlepšení efektivity přenosu dat. „Naše 3D flash paměť QLC 10. generace přináší současné zvýšení hustoty, šířky pásma a energetické účinnosti,“ uvedl Ilkbahar, zatímco technický ředitel společnosti Kioxia Hideshi Miyajima poukázal na cílový trh: efektivní ukládání rychle rostoucích objemů dat pro systémy umělé inteligence. Ani jedna ze společností neuvedla datum vzorkování čipu QLC.Klíčové specifikace Kioxia a Sandisk BiCS10 QLC NAND: 60% nárůst hustoty, 37 GB na čtvereční milimetr, 332 vrstev, rozhraní 4.8 Gb/s

Středeční hlavní projev, čtvrteční panel Memory Wall

Hlavní přednáška společnosti Sandisk na FMS s názvem „NAND: Všestranný a škálovatelný základ éry umělé inteligence“ se bude konat ve středu 5. srpna v 11:40 tichomořského času. Přednášejí ji ředitel pro příjmy Jim Elliott, produktový ředitel Khurram Ismail a Ilkbahar. Ve čtvrtek v 9:45 tichomořského času se společnosti Sandisk, SK hynix a Google účastní panelu s názvem „Prolomení paměťové zdi s vysokorychlostní flash pamětí“, který bude moderovat Tom Coughlin. Panel se bude zabývat architektonickou integrací, časovými harmonogramy standardizace a ekonomikou nové úrovně. Společnost Sandisk na stánku č. 607 představí HBF, NAND nové generace, podnikové SSD disky a svůj aktualizovaný rámec pro datový cyklus umělé inteligence.

Zveřejnění specifikace přichází v týdnu plném zpráv o hierarchii pamětí; Samsung využil svého vlastního projevu o FMS k představení konceptů zHBM a zNAND-O zaměřených na stejnou inferenční stěnu s umělou inteligencí. Rozdíl je v tom, že HBF má nyní za sebou publikovanou, otevřenou specifikaci a vzhledem k tomu, že Google a Tenstorrent jsou již v konsorciu, má standardizační závod o flash-as-memory v čele. Všechny výše uvedené údaje jsou uvedeny dodavateli; doufáme, že hardware HBF uvidíme v laboratoři dříve, než někdo dodá produkční systémy postavené na něm.

Zapojte se do StorageReview

Zpravodaj | YouTube | Podcast iTunes / Spotify | Instagram | Twitter | TikTok | RSS kanál

Brian Beeler

Brian sídlí v Cincinnati ve státě Ohio a je hlavním analytikem a prezidentem společnosti StorageReview.com.