Minulý týden na konferenci Intel Technology and Manufacturing Day v Pekingu v Číně společnost Intel představila informace o některých svých nových technologiích. Mezi představené novinky patřily aktualizace napájení a výkonu 10nm procesu Intelu, plány na výrobu první 10nm FPGA od Intelu a oznámení, že společnost dodává první komerčně dostupnou 64vrstvou 3D NAND paměť pro datová centra.
Společnost Intel zdokonalila svůj výrobní proces v souladu s Moorovým zákonem, v podstatě má v úmyslu každý rok vyrábět levnější produkty s lepším výkonem/schopnostmi. Intel plánuje Moorův zákon i nadále prosazovat a zároveň sklízet výhody, které přináší odhalení nové technologie.
Společnost Intel uvedla, že je o celou generaci napřed oproti ostatním 10nm technologiím, a to jak z hlediska hustoty tranzistorů, tak i výkonu tranzistorů. 10nm technologie Intelu, která se chlubí nejtenčí roztečí tranzistorů a kovů na světě, je vytvořena s hyperscalováním, což je nejvyšší hustota v oboru. Hyperscalováním společnost myslí 2.7násobné zlepšení hustoty logických tranzistorů, kterého bylo dosaženo 14nm a 10nm procesy společnosti. Intel využil této akce k první prezentaci svého 10nm waferu „Cannon Lake“.
Technologie FinFET od Intelu s nízkou spotřebou energie pro mobilní aplikace, 22FFL, se dočkala aktualizace výkonu a výkonu. 22FFL dosáhl výkonu 2 GHz s ultra nízkou spotřebou energie s více než 100krát nižším únikem. Stejně jako „Cannon Lake“ byl i 22FFL poprvé vystaven.
Společnost Intel zveřejnila aktuální informace o své technologii „Falcon Mesa“, což je nadcházející generace FPGA využívajících 10nm procesní technologii a platformu Foundry. Nová FPGA údajně dokáže nabídnout novou úroveň výkonu pro podporu rostoucích požadavků na šířku pásma datových center, podniků a síťových prostředí. Mezi další výhody patří:
- Sériové transceiverové linky s rychlostí 112 Gb/s pro podporu nejnáročnějších požadavků na šířku pásma v datových centrech, podnikových a síťových prostředích nové generace.
- Nejnovější propojení periferních zařízení včetně podpory PCI Express Gen4 x16 s přenosovými rychlostmi až 16 GT/s na linku pro datová centra nové generace.
Společnost oznámila, že pokračuje v uzavírání dohody se společnostmi ARM a Intel Custom Foundry. Dohoda se zaměřuje na urychlení vývoje a implementace ARM SoC s využitím 10nm procesu Intelu. Intel ukázal první výsledky této dohody na 10nm waferu obsahujícím jádra procesoru ARM Cortex-A75 implementovaná s využitím standardních konstrukčních postupů, které umožňují výkon přesahující 3 GHz.
A konečně, Intel oznámil, že od začátku srpna dodává první 64vrstvý, trojúrovňový (TLC) 3D NAND SSD (solid state drive) disk pro datová centra. Tento NAND disk je navržen tak, aby zákazníkům pomohl výrazně zlepšit efektivitu úložiště. Očekává se, že produkt bude do konce roku dostupnější – v současné době se dodává pouze vybraným zákazníkům.
Amazon