Společnosti Micron Technology a Intel dnes oznámily dostupnost své nové technologie 3D NAND. Tato nová technologie flash pamětí, vyvinutá společně oběma společnostmi, je označována za technologii s nejvyšší hustotou na světě. Společnosti tvrdí, že budou schopny dosáhnout třikrát vyšší kapacity než konkurenční technologie NAND.
Flash se zavádí nebo se již používá ve většině oblastí, od spotřebitelských mobilních zařízení až po podniková nasazení. Největším problémem, kterému toto odvětví v současnosti čelí, je, že planární NAND dosahuje svého praktického limitu škálování. Společnosti Micron a Intel se snaží tuto situaci změnit pomocí své 3D NAND, která vertikálně stohuje vrstvy buněk pro ukládání dat.
Společnosti Intel a Micron se ve svých 3D NAND pamětech rozhodly použít buňku s plovoucí hradlou, která se v oboru používá již nějakou dobu. Toto je poprvé, co byla buňka s plovoucí hradlou použita s 3D NAND. Vzhledem k osvědčeným výsledkům buněk s plovoucí hradlou se společnosti Intel a Micron domnívají, že s touto technologií mohou dosáhnout lepšího výkonu, spolehlivosti a vyšší kvality. Tato nová technologie 3D NAND umožňuje vertikální stohování flashových buněk ve 32 vrstvách. Tím se dosáhne čipů MLC s kapacitou 256 GB a čipů TLC s kapacitou 384 GB, přičemž oba disky se stále vejdou do standardního pouzdra. Toto zvýšení kapacity umožní diskům M.2 SSD dosáhnout celkové úložné kapacity 3.5 TB nebo více a standardní 2.5" SSD disky budou mít celkovou úložnou kapacitu 10 TB nebo více. Toto zvýšení kapacity učiní flash paměť mnohem atraktivnější pro datová centra, která potřebují umístit úložiště s určitou hustotou.
Klíčové vlastnosti patří:
- Velké kapacity – Třikrát vyšší kapacita než stávající 3D technologie – až 48 GB NAND na čip – což umožňuje umístit tři čtvrtiny terabajtu do jednoho pouzdra o velikosti konečku prstu.
- Snížené náklady na GB – První generace 3D NAND je navržena tak, aby dosahovala lepší nákladové efektivity než planární NAND.
- Rychlý – Vysoká šířka pásma pro čtení/zápis, rychlosti I/O a výkon náhodného čtení.
- Zelená – Nové režimy spánku umožňují nízkou spotřebu energie tím, že přeruší napájení neaktivních čipů NAND (i když jsou aktivní ostatní čipy ve stejném pouzdře), čímž výrazně snižují spotřebu energie v pohotovostním režimu.
- Chytré – Inovativní nové funkce zlepšují latenci a zvyšují odolnost oproti předchozím generacím a také usnadňují systémovou integraci.
dostupnost
256GB MLC je dnes k dispozici pro vzorkování u vybraných partnerů a 384GB bude k dispozici později v tomto čtvrtletí. Zahájení výroby se očekává v druhé polovině roku 2015.
Společnost Toshiba dnes také oznámila novou technologii 3D NAND.
Hlavní stránky společnosti Intel
Amazon