Společnost Samsung oznámila zahájení hromadné výroby své nové 3D V-NAND paměti, která slibuje dvojnásobnou až desetinásobnou spolehlivost a dvojnásobný výkon zápisu ve srovnání s flash pamětí NAND s plovoucí hradlou pod 20 nm. Za tímto účelem společnost Samsung implementovala novou technologii, která vertikálně stohuje planární vrstvy buněk do 3D struktury. Nová 3D V-NAND poskytuje hustotu 128 GB na jednom čipu a zahrnuje patentovanou vertikální strukturu buněk společnosti Samsung, která je založena na technologii 3D Charge Trap Flash (CTF) a technologii vertikálního propojení za účelem propojení 3D pole buněk. Tato nová nabídka společnosti Samsung bude hnací silou řady nových produktů, včetně spotřební elektroniky, podnikových produktů a SSD disků.
Nová 3D V-NAND od společnosti Samsung je první v tomto odvětví a představuje významný pokrok, jelikož odvětví NAND flash pamětí zvažuje, jak dále snižovat náklady a rozšiřovat kapacity snižováním velikosti NAND litografie na třídu 10-20nm a možná i výše, a zároveň se vyhnout snížení spolehlivosti. S ohledem na to společnost Samsung vyhodnotila svou technologii CTF, kterou původně vytvořila v roce 2006. Při ní je elektrický náboj dočasně umístěn do záchytné komory nevodivé vrstvy flash paměti tvořené nitridem křemíku (SiN). To se liší od ne-3D technologie, u které se používá plovoucí brána, která zabraňuje interferenci mezi sousedními buňkami.
V technologii 3D V-NAND, kterou společnost Samsung zkoumá a pracuje již 10 let a v současnosti má po celém světě více než 300 patentovaných technologií, umožňuje vertikální propojení vrstvit až 24 vrstev. Za tímto účelem společnost Samsung implementuje technologii leptání, která elektronicky propojuje vrstvy děrováním otvorů od nejvyšší vrstvy ke spodní. Díky vertikální 3D struktuře společnost Samsung vytváří metodu, pomocí které lze dosáhnout produktů s vyšší hustotou paměti NAND flash bez nutnosti planárního škálování, které má samozřejmě svá omezení.
Amazon