Společnost Samsung oznámila, že její 5nm procesní technologie FinFET je nyní připravena pro vzorky od zákazníků. V říjnu 2018 zahájila výrobu 7nm procesu LLP založeného na EUV , svého prvního procesního uzlu s technologií EUV litografie. Díky 5nm procesu FinFET dosahuje až o 25 % vyšší účinnosti logických oblastí s o 20 procent nižší spotřebou energie nebo o 10 procent vyšším výkonem. Společnost Samsung může znovu použít 7nm IP i na 5nm, což jejím zákazníkům umožňuje přejít na 5nm a snížit tak náklady na migraci, mít předem ověřený designový ekosystém a zkrátit vývoj 5nm produktů. 5nm využívá EUV litografii při vytváření vzorů kovových vrstev a snižuje počet masek a zároveň poskytuje lepší věrnost.
Spolupráce mezi společností Samsung Foundry a jejími partnery v rámci programu Samsung Advanced Foundry Ecosystem (SAFE) umožňuje „robustní návrhovou infrastrukturu“ pro jejich 5nm technologie, včetně sady pro návrh procesů (PDK), návrhových metodologií (DM), nástrojů pro automatizaci elektronického návrhu (EDA) a IP. Společnost Samsung Foundry začala zákazníkům nabízet službu 5nm Multi Project Wafer (MPW).
Společnost Samsung také spolupracuje se svými zákazníky na 6nm, což je přizpůsobený procesní uzlový proces založený na EUV, a již obdržela kompletní produktovou řadu pro svůj první 6nm čip.
V současné době probíhá výroba procesních technologií založených na EUV technologii společnosti Samsung Foundry na lince S3 v korejském Hwaseongu. Společnost plánuje rozšíření kapacity EUV na novou linku EUV v Hwaseongu, jejíž dokončení se očekává někdy v druhé polovině roku 2019 s nárůstem výroby v následujícím roce.
Přihlaste se k odběru newsletteru StorageReview
Amazon