Společnost Samsung oznámila, že zahájila hromadnou výrobu osmé generace V-NAND pamětí s kapacitou 1 terabit (Tb) a tříúrovňovými buňkami (TLC) s nejvyšší bitovou hustotou v oboru. Tato nová V-NAND paměť bude mít také nejvyšší úložnou kapacitu dostupnou na trhu, což umožní větší úložný prostor v podnikových serverových systémech nové generace. Společnost Samsung již dříve oznámila svou osmou generaci 1Tb TLC V-NAND pamětí na Flash Memory Summit 2022 a Samsung Memory Tech Day 2022, stejně jako rozšíření své výrobní kapacity NAND flash pamětí v korejském Pyeongtaeku v roce 2020.
Společnost Samsung uvádí, že jejich 8. generace V-NAND pomůže uspokojit rychle rostoucí poptávku na trhu a umožní jim vyvíjet unikátnější produkty a řešení. Této bitové hustoty se jim podařilo dosáhnout výrazným zvýšením bitové produktivity na wafer.
Díky nejnovějšímu rozhraní „Toggle DDR 5.0“ dosahuje nová technologie V-NAND od společnosti Samsung rychlosti I/O až 2.4 Gb/s, což je zhruba 1.2násobný nárůst oproti předchozí generaci. Díky tomu bude nová technologie V-NAND podporovat výkonnostní požadavky a standardy PCIe 4.0 a PCIe 5.0 (i když později).
Společnost Samsung věří, že její osmá generace V-NAND pomůže rozšířit úložnou kapacitu v podnikových serverech nové generace. Plánuje také rozšířit její využití i na automobilový trh.
Amazon