Společnost Samsung oznámila, že její linka na výrobu pamětí v čínském Si-anu zahájila plnohodnotnou výrobu v novém závodě, který bude vyrábět pokročilé paměťové čipy Samsung NAND Flash s názvem 3D V-NAND.
Místopředseda představenstva a generální ředitel společnosti Samsung Dr. Oh-Hyun Kwon se na slavnostním otevření závodu vynaložil veškeré úsilí a přivítal velký počet hostů, včetně vládních hodnostářů, jako byl Zhao Zhengyong, tajemník výboru Komunistické strany Číny provincie Shaanxi, Lou Qinjian, guvernér provincie Shaanxi, a Young-se Kwon, velvyslanec Korejské republiky v Čínské lidové republice. Mezi dalšími hosty byli dodavatelé a zákazníci společnosti Samsung.
Výstavba nového výrobního závodu trvala zhruba 20 měsíců a začala v září 2012. Celková plocha závodu je přibližně 750 000 čtverečních stop a nachází se na pozemku o rozloze 282 akrů.
Zahájením provozu v Číně si společnost Samsung zajistila solidní základnu pro výrobu pamětí na trhu, kde se vyrábí přibližně 50 procent celosvětové produkce NAND flash pamětí; to vše z výrobních základen, které provozují četné IT společnosti. Společnost Samsung plánuje dokončit výstavbu celého svého komplexu v Si-anu, včetně montážního závodu a testovací linky, do konce roku 2014.
Amazon