Společnost Samsung zahájila hromadnou výrobu své páté generace 90vrstvé 256GB 3D TLC NAND paměti V-NAND jako první společnost v oboru, která použila rozhraní Toggle DDR 4.0. Společnost dále uvedla, že díky tomuto novému rozhraní dosáhla rychlost přenosu dat mezi úložištěm a pamětí prostřednictvím nové V-NAND ohromujících 1.4 Gb/s, což je o 40 % více než u 64vrstvého předchůdce společnosti Samsung. Díky vylepšení procesu atomárního nanášení vrstev u V-NAND se společnosti Samsung navíc podařilo zvýšit produktivitu výroby zhruba o 30 % a snížit výšku každé buněčné vrstvy o 20 %.
I přes toto výrazné zvýšení výkonu společnost Samsung tvrdí, že nová V-NAND je stále srovnatelná s 64vrstvou pamětí, pokud jde o energetickou účinnost, protože provozní napětí bylo sníženo z 1.8 voltu na 1.2 voltu. Samsung dále dodává, že jejich V-NAND nové generace má nejrychlejší rychlost zápisu dat v oboru, a to 500 μs (30% zlepšení oproti předchozí generaci). Také se jim podařilo zkrátit dobu odezvy čtecího signálu na 50 μs.
Uvnitř nové páté generace paměti V-NAND od Samsungu se nachází více než 90 vrstev 3D flash buněk s technologií nábojové trap flash (CTF), které jsou těsně naskládány do pyramidové struktury s mikroskopickými otvory v kanálech (o šířce několika set nemetrů), které jsou vertikálně vyvrtány. Tyto otvory v kanálech také obsahují více než 85 miliard buněk CTF, z nichž každá může uložit tři bity dat.
Očekává se, že Samsung brzy začne zvyšovat výrobu své 5. generace V-NAND, protože plánuje uspokojit řadu různých potřeb trhu, včetně superpočítačů, podnikových serverů a nejnovějších mobilních aplikací.
Amazon