Společnost Samsung dnes na své výroční akci Tech Day oznámila uvedení nových generací paměťových technologií NAND SSD a DRAM. Společnost Samsung Foundry navíc oznámila zahájení výroby 7nm LLP procesu založeného na EUV, který údajně poskytuje až 40% zvýšení plošné efektivity s 20% vyšším výkonem nebo 50% nižší spotřebou energie, což vede k lepším výtěžkům s menším počtem vrstev.
Na Samsung Tech Day byly představeny tyto produkty:
- 7nm procesní uzel EUV – 7nm procesní uzel EUV, který uvedla na trh divize Foundry Business společnosti Samsung, si klade za cíl výrazně zvýšit výkon, výkon a plochu, což umožní vylepšení aplikací, jako je 5G, umělá inteligence, podniková a hyperscale datová centra, internet věcí, automobilový průmysl a sítě.
- SmartSSD – SSD s programovatelným hradlovým polem (FPGA), které nabízí zrychlené zpracování dat a schopnost obejít limity procesoru serveru.
- QLC-SSD – SSD disk určený pro podniky a datová centra, který nabízí o 33 procent více úložného prostoru na buňku než TLC-SSD, konsoliduje úložné plochy a snižuje celkové náklady na vlastnictví (TCO).
- 256gigabajtový 3DS (3-dimensional stacking) RDIMM (registrovaný duální inline paměťový modul) – Založen na 16gigabitové paměti DDR4 DRAM třídy 10nm, která sníží spotřebu energie a zlepší výkon zdvojnásobením své současné maximální kapacity.
Technologie 7LPP EUV poskytuje velký pokrok ve výrobě polovodičů, včetně maximálně 40% zmenšení plochy, až 50% snížení dynamického výkonu a až 20% zvýšení výkonu ve srovnání s 10nm procesy.
Prostřednictvím produktů, jako jsou nové SmartSSD, QLC-SSD, 256GB 3DS RDIMM a High Bandwidth Memory 2 Aquabolt, společnost Samsung umožňuje těm nejpokročilejším poskytovatelům bezserverových výpočtů. Jejich produkty si kladou za cíl umožnit rychlejší škálování provozu datových center a zároveň šetřit náklady zrychlením zpracování dat, obcházením limitů procesorů serverů a snižováním energetické náročnosti.
Mezi produkty Samsungu s flash pamětí patří také Key Value (KV)-SSD a Z-SSD. KV-SSD zvýší efektivitu blokového ukládání a zároveň sníží latenci a umožní rovnoměrné škálování výkonu datových center, když architektury CPU dosáhnou maximálního využití. Na druhou stranu, Z-SSD s vysokou dostupností dvou portů, nízkou latencí a tvarovým faktorem U.2 si klade za cíl dostat se na vrchol žebříčku, pokud jde o rychlost flash pamětí. Z-SSD bude také disponovat rozhraním PCIe Gen 4 se sekvenčním čtením 12 GB/s.
Prezentace umělé inteligence na Tech Day zdůraznila přenosové rychlosti 16 GB GDDR6 (64 GB/s), nízkou latenci Z-SSD a výkon Aquaboltu, což je v současnosti na trhu nejvýkonnější paměťové řešení založené na DRAM. Tato řešení mají podnikovým a datovým klientům společnosti Samsung umožnit nové příležitosti v oblasti učení aplikací.
Serverová paměť D1Y 8Gb DDR4 DRAM pro servery byla také jedním z podnikových produktů vystavených na Tech Day. Tento produkt využívá pokročilejší proces DRAM, který má za následek nižší spotřebu energie. Navíc 256GB 3DS RDIMM od společnosti Samsung pomáhá zlepšit výkon a umožňuje serverům s náročnou pamětí s kapacitou až 16 TB.
Kromě toho nabízí Samsung výkon 10 GB/s prostřednictvím svého dual-ort x4 PCIe Gen 4 32TB SSD disku. Samsung KV-SSD umožňuje škálování výkonu serveru i v době, kdy architektury CPU dosahují maxima, a poskytuje vylepšení faktoru amplifikace zápisu (WAF) a škálovatelnost a zároveň konkurenceschopné celkové náklady na vlastnictví. A konečně, 1TB QLC-SSD ve srovnání s pevnými disky představuje pokročilou možnost úložiště pro podnikové klienty.
Disky Samsung QLC-SSD, Z-SSD a 8GB Aquabolt umožňují zákazníkům s vysokým výpočetním výkonem překonat bariéry. Uvádí se, že 8GB disk má celkovou propustnost 307 GB/s na kostku HBM, což z něj činí neuvěřitelně rychlé a jedno z nejvýkonnějších dostupných paměťových řešení založených na DRAM. QLC-SSD i Z-SSD jsou také nabízeny ve vrstveném úložném řešení, což vede k údajnému 53% nárůstu výkonu systému.
Samsung SmartSSD zvyšuje efektivitu a rychlost, čímž efektivně snižuje provozní náklady. Nový SmartSSD překoná problémy s latencí a spotřebou energie díky začlenění akcelerátoru FPGA do jednotky SSD, což umožní rychlejší zpracování dat obcházením limitů CPU serveru. SmartSSD pak budou mít vyšší výpočetní a škálovatelný výkon, lepší deduplikaci a kompresi, více virtuálních strojů, lepší dobu potřebnou k analýze a méně CPU na systém.
Společnost Samsung uvádí, že bude i nadále inovovat a zvyšovat laťku v oblasti polovodičových technologií, jak ukázala prostřednictvím své šesté generace V-NAND pamětí postavených na jediné struktuře neboli s „technologií 1-stack“ a sub-10nm DRAM s EUB pro super vysokou hustotu a výkon, s tvrzením, že do roku 2020 připraví cestu pro 3nm.
Amazon