Společnost Samsung oznámila, že zahájila hromadnou výrobu první 3bitové víceúrovňové (TLC) 3D V-NAND flash paměti pro použití v SSD discích. 3bitová V-NAND využívá 32 vertikálně uspořádaných buněčných vrstev na paměťový čip NAND (každý čip poskytuje 128 GB úložiště) a jedná se o druhou generaci V-NAND pouzdra od společnosti Samsung.
Každá buňka je elektricky propojena s nevodivou vrstvou pomocí technologie Charge Trap Flash (CTF) uvnitř čipové struktury V-NAND od společnosti Samsung. Kromě toho je každé pole buněk vertikálně naskládáno na sebe a vytváří tak čipy o délce několika miliard buněk. Společnost Samsung uvádí, že použití 32vrstvých vertikálně naskládaných polí buněk s 3 bity na buňku výrazně zvyšuje efektivitu výroby pamětí. Ve srovnání s 10nanometrovou 3bitovou planární NAND flash pamětí od společnosti Samsung má tato nová 3bitová V-NAND paměť více než dvojnásobnou produktivitu waferů.
Společnost Samsung poprvé představila svou první generaci V-NAND (24 vrstev buněk) v srpnu 2013 a druhou generaci struktury polí buněk V-NAND (32 vrstev) představila v květnu letošního roku . Oznámení 32vrstvé, 3bitové V-NAND od společnosti Samsung otevírá cestu pro rychlejší vývoj technologie výroby V-NAND. Společnost Samsung také dodala řadu SSD disků založených na předchozích verzích V-NAND, jako je disk 845DC Pro a SM1715 NMVe.
Technologie TLC V-NAND pomůže zvýšit využívání SSD disků běžnými uživateli počítačů a zároveň uspokojí stále rostoucí potřebu úložišť v podnicích. Nové technologie NAND nadále vyvíjejí tlak na ceny SSD disků a zvyšují hodnotu flash disků oproti pevným diskům, zejména v podnicích, kde jsou 10K a 15K pevné disky nahrazovány levnějšími 2.5" flash disky s vyšší kapacitou. Toto oznámení dále posiluje postavení společnosti Samsung jako nejagresivnější společnosti na trhu, která přijímá a nasazuje nové technologie NAND.
Amazon