Micron Technology und Intel gaben heute die Verfügbarkeit ihrer neuen 3D-NAND-Technologie bekannt. Diese von beiden Unternehmen gemeinsam entwickelte neue Flash-Speichertechnologie gilt als die weltweit höchste Speicherdichte. Die Unternehmen behaupten, dass sie eine dreimal höhere Kapazität als konkurrierende NAND-Technologien erreichen können.
Micron Technology und Intel gaben heute die Verfügbarkeit ihrer neuen 3D-NAND-Technologie bekannt. Diese von beiden Unternehmen gemeinsam entwickelte neue Flash-Speichertechnologie gilt als die weltweit höchste Speicherdichte. Die Unternehmen behaupten, dass sie eine dreimal höhere Kapazität als konkurrierende NAND-Technologien erreichen können.
Flash wird in den meisten Bereichen eingeführt oder bereits eingesetzt, von mobilen Verbrauchergeräten bis hin zu Unternehmensbereitstellungen. Das größte Problem, mit dem die Branche derzeit konfrontiert ist, besteht darin, dass planares NAND an seine praktische Skalierungsgrenze stößt. Micron und Intel wollen dies mit ihrem 3D-NAND ändern, das Schichten von Datenspeicherzellen vertikal stapelt.
Intel und Micron haben sich bei ihrem 3D-NAND für die Verwendung einer Floating-Gate-Zelle entschieden, die in der Branche bereits seit einiger Zeit zum Einsatz kommt. Dies ist das erste Mal, dass eine Floating-Gate-Zelle mit 3D-NAND verwendet wird. Aufgrund der nachgewiesenen Erfolgsbilanz der Floating-Gate-Zellen glauben Intel und Micron, dass sie durch den Einsatz dieser Technologie eine bessere Leistung, Zuverlässigkeit und höhere Qualität erzielen können. Diese neue 3D-NAND-Technologie ermöglicht die vertikale Stapelung von Flash-Zellen in 32 Schichten. Dadurch werden MLC-Chips mit 256 GB und TLC-Chips mit 384 GB erreicht, die beide immer noch in ein Standardgehäuse passen. Durch diese Kapazitätserhöhung können M.2-SSDs eine Gesamtspeicherkapazität von 3.5 TB oder mehr erreichen, während standardmäßige 2.5-Zoll-SSDs eine Gesamtspeicherkapazität von 10 TB oder mehr haben. Durch diese Kapazitätserhöhung wird Flash für Rechenzentren deutlich attraktiver die innerhalb einer bestimmten Dichte gelagert werden müssen.
Die wichtigsten Merkmale sind:
- Große Kapazitäten – Dreimal so viel Kapazität wie bestehende 3D-Technologie – bis zu 48 GB NAND pro Chip – sodass drei Viertel eines Terabytes in ein einziges Gehäuse in Fingerspitzengröße passen.
- Reduzierte Kosten pro GB – 3D-NAND der ersten Generation ist darauf ausgelegt, eine bessere Kosteneffizienz als planares NAND zu erzielen.
- Schnell – Hohe Lese-/Schreibbandbreite, E/A-Geschwindigkeit und zufällige Leseleistung.
- Grün – Neue Schlafmodi ermöglichen einen geringen Stromverbrauch, indem sie den Strom zu inaktiven NAND-Chips unterbrechen (selbst wenn andere Chips im selben Paket aktiv sind), wodurch der Stromverbrauch im Standby-Modus erheblich gesenkt wird.
- Smart – Innovative neue Funktionen verbessern die Latenz und erhöhen die Ausdauer im Vergleich zu früheren Generationen und erleichtern außerdem die Systemintegration.
Verfügbarkeit
Der 256-Gbit-MLC wird heute bei ausgewählten Partnern bemustert, der 384-Gbit-MLC wird später in diesem Quartal bemustert. Der Produktionsstart ist für die zweite Jahreshälfte 2015 geplant.
Das gab auch Toshiba bekannt heute neue 3D-NAND-Technologie.
