Samsung hat bekannt gegeben, dass seine 5-nm-FinFET-Prozesstechnologie nun für Kundenmuster bereit ist. Bereits im Oktober 2018 startete das Unternehmen die Produktion des EUV-basierten 7-nm-LLP-Prozesses – seinem ersten Prozessknoten mit EUV-Lithografietechnologie. Der 5-nm-FinFET-Prozess bietet eine bis zu 25 % höhere Effizienz der Logikfläche bei gleichzeitig 20 % geringerem Stromverbrauch oder 10 % höherer Leistung. Samsung kann das 7-nm-IP auch für 5 nm wiederverwenden. Dies ermöglicht Kunden, die auf 5 nm umsteigen, Migrationskosten zu senken, auf ein vorverifiziertes Design-Ökosystem zurückzugreifen und die Produktentwicklung für 5-nm-Produkte zu verkürzen. 5 nm nutzt EUV-Lithografie für die Strukturierung der Metallschichten und reduziert die Anzahl der Maskenschichten bei gleichzeitig höherer Detailgenauigkeit.
Die Zusammenarbeit zwischen Samsung Foundry und seinen Samsung Advanced Foundry Ecosystem (SAFE)-Partnern ermöglicht eine „robuste Design-Infrastruktur“ für ihre 5-nm-Technologie, einschließlich des Process Design Kit (PDK), Design Methodologies (DM), Electronic Design Automation (EDA)-Tools usw IP. Samsung Foundry hat damit begonnen, seinen Kunden einen 5-nm-Multi-Project-Wafer-Service (MPW) anzubieten.
Samsung arbeitet außerdem mit seinen Kunden an 6 nm, einem maßgeschneiderten EUV-basierten Prozessknoten, und hat das Produkt-Tape-Out seines ersten 6-nm-Chips erhalten.
Derzeit erfolgt die Produktion der EUV-basierten Prozesstechnologien der Samsung-Gießerei in der S3-Linie in Hwaseong, Korea. Sie planen eine Erweiterung ihrer EUV-Kapazität auf eine neue EUV-Linie in Hwaseong, die voraussichtlich irgendwann in der zweiten Jahreshälfte 2019 abgeschlossen sein wird und im folgenden Jahr die Produktion hochfahren wird.
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