Samsung anuncia el primer SSD basado en su tecnología 3D V-NAND, diseñado para aplicaciones de centros de datos y servidores empresariales. El anuncio se ha hecho en el Flash Memory Summit en el que participamos. El nuevo SSD V-NAND se enviará en capacidades de 960 GB y 480 GB. La SSD V-NAND de 960 GB interactúa sobre SATA 6 Gb/s y utiliza 64 troqueles de flash MLC 3D V-NAND a 128 Gb de almacenamiento para proporcionar un aumento de más del 20 % en las velocidades de escritura secuencial y aleatoria. Quizás aún más significativo para las organizaciones que adoptan la nueva tecnología, el nuevo SSD V-NAND ofrece ciclos de borrado de programa de 35K.
Como señalamos en nuestra cobertura inicial cuando Samsung anunció recientemente su tecnología 3D V-NAND, su implementación funciona apilando verticalmente las capas de celdas planas en una estructura 3D. La matriz de celdas 3D consta de 24 capas que se conectan con estructuras de celdas cilíndricas 3D Charge Trap Flash y tecnología de proceso de interconexión vertical. Como resultado, la tecnología 3D V-NAND de Samsung logra mejoras en la productividad de fabricación de hasta 2x en comparación con la memoria flash NAND planar de 20-30 nm. La unidad SSD V-NAND se comercializa en una variedad de alturas, todas en formato de 2.5". Las alturas son de 10 cm, 7 cm y 7 mm en los ejes x, y y z, para brindar mayor flexibilidad a los fabricantes de servidores.
Samsung anunció recientemente que ha comenzado la producción de unidades SSD V-NAND.
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