Samsung ha anunciado el inicio de la producción en masa de una memoria V-NAND de octava generación con celda de triple nivel (TLC) de 1 terabit (Tb) y la mayor densidad de bits del sector. Esta nueva V-NAND ofrecerá la mayor capacidad de almacenamiento disponible en el mercado, lo que permitirá un mayor espacio de almacenamiento en los sistemas de servidores empresariales de próxima generación. Samsung ya había anunciado su memoria V-NAND TLC de 1 Tb de octava generación en Flash Memory Summit 2022 y Samsung Memory Tech Day 2022, así como la ampliación de su capacidad de producción de memoria flash NAND en Pyeongtaek, Corea del Sur, en 2020.
Samsung indica que su V-NAND de octava generación ayudará a satisfacer la creciente demanda del mercado y les permitirá desarrollar productos y soluciones más exclusivos. Pudieron alcanzar esta densidad de bits al mejorar significativamente la productividad de bits por oblea.
Utilizando la última "interfaz Toggle DDR 5.0", la nueva tecnología V-NAND de Samsung presenta una velocidad de E/S de hasta 2.4 Gbps, que es aproximadamente una ganancia de 1.2 veces con respecto a la generación anterior. Esto permitirá que la nueva V-NAND admita los requisitos y estándares de rendimiento de PCIe 4.0 y PCIe 5.0 (aunque en una fecha posterior).
Samsung cree que su V-NAND de octava generación ayudará a expandir la capacidad de almacenamiento en los servidores empresariales de próxima generación. También planean extender su uso al mercado automotriz.
Amazon