Samsung ha comenzado la producción en masa de SSD SATA de 250 GB que integran la V-NAND de 6 Gb y 1 bits de sexta generación (capa 256xx) de la compañía para OEM de PC globales. Con su tecnología de "grabado de orificios de canal", Samsung indica que la nueva V-NAND agrega aproximadamente un 3 % más de celdas a la estructura anterior de pila única de 40 capas. Esto se hace mediante la construcción de una pila de moldes eléctricamente conductora con 9 capas, luego perforando verticalmente agujeros cilíndricos de arriba a abajo, lo que crea celdas uniformes de trampa de carga 136D (CTF).
Samsung ha comenzado la producción en masa de SSD SATA de 250 GB que integran la V-NAND de 6 Gb y 1 bits de sexta generación (capa 256xx) de la compañía para OEM de PC globales. Con su tecnología de "grabado de orificios de canal", Samsung indica que la nueva V-NAND agrega aproximadamente un 3 % más de celdas a la estructura anterior de pila única de 40 capas. Esto se hace mediante la construcción de una pila de moldes eléctricamente conductora con 9 capas, luego perforando verticalmente agujeros cilíndricos de arriba a abajo, lo que crea celdas uniformes de trampa de carga 136D (CTF).
Cuando la altura de la pila de moldes aumenta en cada área de celda, pueden ocurrir errores y vulnerabilidades de latencia de lectura. Para abordar esto, Samsung ha integrado un diseño de circuito de velocidad optimizada que le permite lograr la velocidad de transferencia de datos más rápida: menos de 450 μs en escritura y 45 μs en lectura. Samsung indica una ganancia de más del 10 % en el rendimiento con respecto a la generación anterior, con una reducción de más del 15 % en el consumo de energía. Como resultado, con solo montar tres de las pilas actuales, la compañía afirma que ofrecerá soluciones V-NAND de próxima generación con más de 300 capas sin comprometer el rendimiento o la confiabilidad del chip.
Samsung también ha reducido la cantidad de orificios de canal necesarios para crear una densidad de chip de 256 Gb a 670 millones de orificios (en comparación con los más de 930 millones de la generación anterior). Esto permitirá tamaños de chips reducidos, menos pasos de proceso y una mejora de más del 20 por ciento en la productividad de fabricación.
Se espera que Samsung ofrezca eUFS y SSD V-NAND de 512 Gb y 3 bits durante la segunda mitad de 2019. Además, expandirá la producción de soluciones V-NAND de sexta generación de mayor velocidad y mayor capacidad en su campus de Pyeongtaek (Corea) a partir del próximo año.
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