En la Flash Memory Summit (FMS) 2017, Samsung Electronics Co., Ltd. anunció varias soluciones y tecnologías de memoria V-NAND (Vertical NAND) nuevas. Estas nuevas tecnologías incluyen el primer chip V-NAND de 1 TB, un SSD de factor de forma pequeño (NGSFF) de próxima generación de 16 TB, un Z-SSD con una latencia más baja que NVMe y la tecnología SSD de valor clave. Estas nuevas tecnologías tienen como objetivo abordar problemas como la necesidad de una mayor densidad en un espacio más pequeño, el aumento de las aplicaciones de uso intensivo de datos debido a las tecnologías de inteligencia artificial e Internet de las cosas (IoT), y la necesidad de latencias cada vez más bajas.
En la Flash Memory Summit (FMS) 2017, Samsung Electronics Co., Ltd. anunció varias soluciones y tecnologías de memoria V-NAND (Vertical NAND) nuevas. Estas nuevas tecnologías incluyen el primer chip V-NAND de 1 TB, un SSD de factor de forma pequeño (NGSFF) de próxima generación de 16 TB, un Z-SSD con una latencia más baja que NVMe y la tecnología SSD de valor clave. Estas nuevas tecnologías tienen como objetivo abordar problemas como la necesidad de una mayor densidad en un espacio más pequeño, el aumento de las aplicaciones de uso intensivo de datos debido a las tecnologías de inteligencia artificial e Internet de las cosas (IoT), y la necesidad de latencias cada vez más bajas.
Cada año en FMS, Samsung celebra un Tech Day que le permite mostrar sus últimos desarrollos en tecnología y establecer cómo abordará los desafíos de procesamiento de datos de próxima generación. Este año, la compañía presenta una amplia variedad de nueva tecnología V-NAND que amplía la gama de varios problemas que enfrenta principalmente la empresa.
Un desarrollo interesante en cuanto a densidad es la introducción de un chip V-NAND de 1 TB (terabit). Aunque la compañía mencionó esto por primera vez cuando presentó por primera vez 3D V-NAND, el avance tecnológico acaba de darse cuenta. Samsung puede apilar 16 chips de 1 TB en un solo chip, lo que da como resultado 2 TB en un solo paquete V-NAND. Esto aumentará en gran medida la densidad de los SSD sin pasar a un factor de forma más grande. Para las industrias que buscan más densidad en el mismo espacio, Samsung puede tener una respuesta para ellas.
Hablando de aumentos de densidad, Samsung también presentó un nuevo SSD NGSFF de hasta 16 TB y solo mide 30.5 mm x 110 mm x 4.38 mm. Esta nueva unidad está diseñada específicamente para servidores 1U que necesitan más capacidad y mayores IOPS. Samsung afirma que un solo servidor de 1U se puede escalar hasta 576 TB (usando 36 de los nuevos SSD NGSFF) o tener más de 1 PB en un espacio de 2U agregando otro servidor. La compañía también afirma que las unidades combinadas pueden alcanzar los 10 millones de IOPS de lectura aleatoria.
El año pasado, Samsung presentó la tecnología Z-SSD sin detalles reales. Este año la compañía tiene un producto Z-SSD, el SZ985, pero aún falta explicar qué es realmente o cómo funciona. Se dice que la nueva unidad tiene 15 microsegundos de latencia de lectura, que es mejor que las SSD NVMe. Esto sería muy beneficioso para el análisis en tiempo real o algún caché de servidor realmente rápido. Lo que realmente puede ser la tecnología o Z-NAND, es una incógnita, ya que la compañía está jugando cerca de su pecho, tal vez demasiado cerca, ya que hay un producto real en la tubería en este momento.
Finalmente, Samsung introdujo la tecnología SSD de valor clave, que da como resultado una forma más eficiente de procesar conjuntos de datos complejos, lo que hace que la tecnología NAND existente funcione más rápido. En lugar de convertir los datos en bloques para ser procesados, la tecnología asigna una 'clave' o una ubicación específica a cada 'valor' o parte de los datos del objeto, independientemente de su tamaño. La clave permite el direccionamiento directo de una ubicación de datos, lo que a su vez permite escalar el almacenamiento. Esta nueva tecnología beneficiaría principalmente a los servicios de redes sociales y aplicaciones de IoT.
Disponibilidad
Se espera que la tecnología V-NAND de 1Tb por chip esté disponible el próximo año. Samsung tiene la intención de producir en masa los nuevos SSD NGSFF en el cuarto trimestre de este año.
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