Con las SSD NVMe afianzándose firmemente en el mercado como la unidad elegida entre consumidores y profesionales por igual, la iteración más reciente de la interfaz rápida, PCIe 4.0, ya está aquí. Este es un gran salto con respecto a la generación anterior, que ofrece un aumento potencialmente enorme en el rendimiento tanto aleatorio como secuencial, aunque actualmente solo es compatible con los procesadores AMD. Silicon Power ha decidido aprovechar esta tecnología con el lanzamiento del SSD US70 PCIe Gen4x4. Ideal para usuarios de alto nivel como jugadores, profesionales del diseño y usuarios empresariales que trabajan con grandes archivos de datos, Silicon Power US70 cuenta con compatibilidad con NVMe 1.3, flash 3D NAND, baja latencia y bajo consumo de energía. También está disponible en 1,800 TB y 3,600 TB de bytes totales escritos (TBW) para el modelo de 1 TB y 2 TB, respectivamente.
Las ventajas de la interfaz PCIe 4.0 son bastante claras al observar el rendimiento potencial, ya que Silicon Power cotiza más de PCIe Gen 5,000 MB/s de lectura y 4,400 MB/s de escritura. Este es un gran aumento con respecto a la generación anterior. La compatibilidad de la US70 con SLC Caching y DRAM Cache Buffer ayuda a que la unidad alcance este nivel de rendimiento. Además, cuenta con codificación de verificación de paridad de baja densidad (LDPC) y un algoritmo ECC para garantizar la precisión de la transmisión y la confiabilidad del acceso a los datos.
La longevidad también es un enfoque para Silicon Power, ya que viene equipada con protección de datos E2E y soporte para comandos TRIM, lo que permite que el US70 administre de manera efectiva el espacio reutilizable mientras reduce el desgaste de la unidad.
Respaldado por una garantía de 5 años, el Silicon Power US70 cuesta aproximadamente $176 y $376 para el modelo de 1 TB y 2 TB, respectivamente. Estaremos mirando la unidad de 1TB para esta revisión.
Silicon Power US70 Especificaciones
| CAPACIDAD | 1TB, 2 TB |
| Dimensiones | 22.0mm x x 80.0mm 3.5mm |
| Peso | 8g |
| Lectura de rendimiento (máx.) | hasta 5,000 MB / s |
| Escritura de rendimiento (máx.) | hasta 4,400 MB / s |
| MTBF (estimado) | 1,700,000 horas |
| Temperatura de Funcionamiento | 0 ° C - 70 ° C |
| Prueba de resistencia a los golpes | 1500G / 0.5ms |
| Certificación | CE, FCC, BSMI, punto verde, WEEE, RoHS, KCC |
| Requisitos del sistema | Computadora con ranuras M.2 compatibles con interfaz PCIe y uno de los siguientes sistemas operativos: Windows 8.1 o Windows 10 |
| Garantía | 5 años, tenga en cuenta que la garantía SSD se basa en el TBW o el período de garantía |
Rendimiento de Silicon Power US70
Banco de pruebas
A medida que migramos a las pruebas de las nuevas unidades SSD NVMe Gen4, ha sido necesario un cambio de plataforma en nuestro laboratorio para admitir la nueva interfaz. Lenovo ha estado a la vanguardia con la compatibilidad con PCIe Gen4, incluyendo hasta las bahías U.2 de montaje frontal, mientras que otros todavía solo ofrecen compatibilidad con tarjetas de borde. En nuestras reseñas de Gen4, utilizamos el servidor Lenovo ThinkSystem SR635 , equipado con una CPU AMD 7742 y 512 GB de memoria DDR4 de 3200 MHz. NVMe se prueba de forma nativa a través de una tarjeta adaptadora M.2 a PCIe en la ranura de tarjeta de borde, mientras que las unidades U.2 se cargan en el frente. La metodología utilizada refleja mejor el flujo de trabajo del usuario final con la consistencia, escalabilidad y flexibilidad de las pruebas dentro de las ofertas de servidores virtualizados. Se hace gran hincapié en la latencia de la unidad en todo el rango de carga, no solo en los niveles QD1 (Queue-Depth 1) más pequeños. Hacemos esto porque muchos de los benchmarks comunes para consumidores no capturan adecuadamente los perfiles de carga de trabajo del usuario final.
Rendimiento de SQL Server
Cada máquina virtual con SQL Server está configurada con dos discos virtuales: un volumen de 100 GB para el arranque y un volumen de 500 GB para la base de datos y los archivos de registro. Desde la perspectiva de los recursos del sistema, configuramos cada VM con 16 vCPU, 64 GB de DRAM y aprovechamos el controlador LSI Logic SAS SCSI. Si bien nuestras cargas de trabajo de Sysbench probadas anteriormente saturaron la plataforma tanto en E/S de almacenamiento como en capacidad, la prueba de SQL busca el rendimiento de la latencia.
Esta prueba utiliza SQL Server 2014 ejecutándose en máquinas virtuales invitadas de Windows Server 2012 R2 y es sometida a pruebas de estrés por Quest Benchmark Factory for Databases. El protocolo de pruebas OLTP de Microsoft SQL Server de StorageReview emplea el borrador actual del Benchmark C (TPC-C) del Transaction Processing Performance Council, una prueba de rendimiento de procesamiento de transacciones en línea que simula las actividades presentes en entornos de aplicaciones complejos. El benchmark TPC-C se acerca más que las pruebas de rendimiento sintéticas a la hora de evaluar las fortalezas y los cuellos de botella del rendimiento de la infraestructura de almacenamiento en entornos de bases de datos. Cada instancia de nuestra máquina virtual de SQL Server para esta revisión utiliza una base de datos de SQL Server de 333 GB (escala 1,500) y mide el rendimiento transaccional y la latencia bajo una carga de 15 000 usuarios virtuales.
Configuración de prueba de SQL Server (por VM)
- Windows Server 2012 R2
- Huella de almacenamiento: 600 GB asignados, 500 GB utilizados
- SQL Server 2014
- Tamaño de la base de datos: escala 1,500
- Carga de clientes virtuales: 15,000
- Búfer RAM: 48GB
- Duración de la prueba: 3 horas
- 2.5 horas de preacondicionamiento
- Período de muestra de 30 minutos
Para nuestro punto de referencia transaccional de SQL Server, Silicon Power US70 registró un rango medio de 3,159.9 TPS.
Pasando a la latencia, la unidad Silicon Power US70 se desempeñó cerca de la parte superior de la tabla de clasificación con 4.0 ms, empatada con Intel 900P.
Análisis de carga de trabajo de VDBench
Cuando se trata de comparar dispositivos de almacenamiento, las pruebas de aplicaciones son las mejores y las pruebas sintéticas ocupan el segundo lugar. Si bien no es una representación perfecta de las cargas de trabajo reales, las pruebas sintéticas ayudan a los dispositivos de almacenamiento de referencia con un factor de repetibilidad que facilita la comparación de manzanas con manzanas entre las soluciones de la competencia. Estas cargas de trabajo ofrecen una gama de diferentes perfiles de prueba que van desde pruebas de "cuatro esquinas", pruebas comunes de tamaño de transferencia de bases de datos, hasta capturas de seguimiento de diferentes entornos VDI. Todas estas pruebas aprovechan el generador de cargas de trabajo vdBench común, con un motor de secuencias de comandos para automatizar y capturar resultados en un gran clúster de pruebas informáticas. Esto nos permite repetir las mismas cargas de trabajo en una amplia gama de dispositivos de almacenamiento, incluidos arreglos flash y dispositivos de almacenamiento individuales. Nuestro proceso de prueba para estos puntos de referencia llena toda la superficie de la unidad con datos, luego divide una sección de la unidad equivalente al 5% de la capacidad de la unidad para simular cómo la unidad podría responder a las cargas de trabajo de la aplicación. Esto es diferente de las pruebas de entropía completa que usan el 100% del impulso y lo llevan al estado estable. Como resultado, estas cifras reflejarán velocidades de escritura más altas.
perfiles:
- Lectura aleatoria 4K: 100 % de lectura, 128 subprocesos, 0-120 % de iorate
- Escritura aleatoria 4K: 100 % de escritura, 64 subprocesos, 0-120 % de iorate
- Lectura secuencial de 64 K: 100 % de lectura, 16 subprocesos, 0-120 % de iorate
- Escritura secuencial de 64 K: 100 % de escritura, 8 subprocesos, 0-120 % de iorate
Comparable para esta revisión:
- Sabrent Rocket NVMe 4.0 2TB
En lectura aleatoria 4K, Silicon Power US70 tuvo un rendimiento máximo de 416,197 305.6 IOPS con una latencia de XNUMX ms.
En la actividad de escritura de 4K, Silicon Power US70 comenzó a disminuir en rendimiento alrededor de 128K IOPS, terminando con un pico de 141,274 IOPS a 474ms.
Con un rendimiento secuencial de lectura de 64 70, Silicon Power US60,398 alcanzó un máximo de 3.8 524.5 IOPS (o XNUMX GB/s) con XNUMX µs, justo antes de un ligero aumento en el rendimiento al final.
En escrituras secuenciales de 64 70, vimos que la latencia se redujo drásticamente en el rendimiento con Silicon Power US12 alrededor de la marca de 12,720 795 IOPS, y terminó con 1,248 XNUMX IOPS (XNUMX MB/s) a XNUMX ms.
A continuación, analizamos nuestros puntos de referencia de VDI, que están diseñados para gravar aún más las unidades. En Boot, Silicon Power US70 comenzó a aumentar su rendimiento alrededor de la marca de 87K antes de alcanzar un máximo de 106,541 316 IOPS con una latencia de XNUMX µs.
En cuanto a nuestro inicio de sesión inicial de VDI, el US70 mostró un rendimiento desigual en la mitad de la prueba, aunque se aplanó al final con un pico de 37,268 800.7 IOPS y una latencia de XNUMX µs.
En nuestra última prueba, VDI Monday Login, los resultados de rendimiento contaron una historia similar (es decir, picos de rendimiento en el medio), con el US70 mostrando un pico de IOPS de 26,734 595.4 IOPS y XNUMX ms de latencia.
Conclusión
ConclusiónSilicon Power US70 es la última unidad PCIe Gen 4×4 de grado de consumo que ha llegado al mercado. Con memoria flash 3D NAND, compatibilidad con versiones anteriores de PCIe 3.0 y compatibilidad con NVMe 1.3, el US70 está dirigido a jugadores, diseñadores/editores profesionales y prosumidores que buscan una nueva solución de almacenamiento de alta velocidad. El nuevo SSD de Silicon Power también presenta una variedad de características de confiabilidad e integridad de datos, que incluyen nivelación de desgaste para igualar el desgaste de cada bloque flash NAND; protección de datos E2E incorporada para ayudar a garantizar la integridad de la transferencia de datos; y codificación de verificación de paridad de baja densidad para promover la precisión de la transmisión de datos y la confiabilidad del acceso a los datos.
Los aspectos más destacados del rendimiento máximo incluyen: 416,197 4 IOPS en lectura 141,274K, 4 3.8 IOPS en escritura 64K, 795 GB/s en lectura 64K y 106,541 MB/s en escritura 37,268K. En nuestro clon de VDI, vimos 26,734 XNUMX IOPS en el arranque, XNUMX XNUMX IOPS en el inicio de sesión inicial y XNUMX XNUMX IOPS en el inicio de sesión del lunes.
En general, estos resultados fueron decepcionantes, ya que esperábamos una mejora sustancial en el rendimiento con respecto a la generación anterior (su rendimiento fue prácticamente igual al de las SSD Gen3 que hemos analizado). En la categoría Gen4 para consumidores, todavía solo contamos con otra SSD que utiliza el mismo controlador. Las velocidades de lectura recién sacadas de la caja, tras una operación de borrado seguro, superaron los 5 GB/s, valores que se ajustan a las especificaciones de la Gen4. Sin embargo, nuestro proceso de prueba primero realiza una escritura secuencial completa en toda la superficie del disco, crea una partición del 5 % de dicha superficie y, a continuación, prueba el rendimiento de la unidad. Durante esta última operación, las velocidades registradas en la lectura secuencial no pudieron superar los 4 GB/s ni en vdBench ni en FIO. A medida que lleguen más dispositivos Gen4 para consumidores a nuestro laboratorio, probablemente veremos un cambio en esta tendencia. Afortunadamente, el Silicon Power US70 actualmente tiene un precio de tan solo 176 dólares para el modelo de 1 TB, unos pocos dólares menos que el impresionante Samsung 970 EVO Plus PCIe Gen3 de 1 TB , por lo que sigue siendo sin duda una opción viable para aquellos que tengan una placa base compatible.
Es solo cuestión de tiempo antes de que veamos que todas las marcas de placas base (así como los chips Intel) adopten la tecnología, así que espere que más SSD PCIe 4.0 lleguen al mercado a medida que lleguemos a fin de año y entremos en el nuevo.
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