Intel a annoncé la gamme Optane Persistent Memory 200, sa deuxième génération de mémoire persistante haute performance pour les processeurs Intel Xeon Scalable de troisième génération sur plateformes à quatre sockets. Cette nouvelle gamme PMem offre une bande passante mémoire supérieure de 25 % en moyenne par rapport à la génération précédente, une enveloppe thermique (TDP) de 12 à 15 watts et est disponible avec des capacités allant jusqu'à 512 Go.
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Les plates-formes optimisées pour les processeurs de 3e génération peuvent prendre en charge un module de la série Intel Optane PMem 200 par canal (et jusqu'à six sur un seul socket), ce qui signifie qu'il offre jusqu'à 3 To de PMem par socket et une capacité de mémoire totale (avec DRAM) de 4.5 To par socket. Il comporte également la persistance des données pour la mémoire, où les données restent dans PMem après les redémarrages planifiés et accidentels. Cela permet d'éliminer les rechargements de données inutiles pour moins de temps d'arrêt et moins de pertes dues aux pannes du système.
Intel indique les façons suivantes dont la série Intel Optane PMem 200 améliorera les mesures clés du centre de données :
- Augmentation de l'utilisation du processeur et de l'utilité de chaque serveur
- Augmentation du débit des applications avec plus de capacité de mémoire
- Augmentation de la densité des machines virtuelles ou prise en charge d'un plus grand nombre de services et d'utilisateurs
- Prise en charge de bases de données en mémoire plus volumineuses sans prix prohibitif
- Améliorez la résilience de l'entreprise pour les systèmes contenant des données critiques
- Consolidez l'empreinte du serveur, réduisez les coûts de licence logicielle et maximisez le retour sur investissement de l'entreprise
La série Intel Optane PMem 200 exploite également le cryptage AES-256 transparent pour les applications pour les données au repos, ce qui sécurise les données dans la mémoire persistante sans modification du code logiciel et avec un impact minimal sur les performances.
Intel ajoute que la série Optane PMem 200 aidera les utilisateurs à obtenir plus de données à extraire d'ensembles de données plus volumineux, apportant beaucoup d'utilité à chaque serveur. De plus, les bases de données en mémoire peuvent accéder à plus de données à des « vitesses de type DRAM » et les charges de travail traitent des ensembles de données volumineux, en continu sans charger et stocker de manière répétée les données localement.
Spécifications de la mémoire persistante Intel Optane série 200
| SKU+ | 128 GB | 256 GB | 512 GB | |||
| CAPACITÉ UTILISATEUR+ | 126.7 GiB | 253.7 GiB | 507.7 GiB | |||
| ENDURANCE 100 % ÉCRITURE 15W256B |
292 PBW | 497 PBW | 410 PBW |
| ENDURANCE 67 % LU ; 33 % ÉCRIVENT 15W256B | 224 PBW | 297 PBW | 242 PBW |
| ENDURANCE 100 % ÉCRITURE 15W64B | 73 PBW | 125 PBW | 103 PBW |
| ENDURANCE 67 % LU ; 33 % ÉCRIVENT 15W64B | 56 PBW | 74 PBW | 60 PBW |
| BANDE PASSANTE 100% LU 15W256B | 7.45 GB / s | 8.10 GB / s | 7.45 GB / s |
| BANDE PASSANTE 67 % LU ; 33 % ÉCRIVENT 15W256B | 4.25 GB / s | 5.65 GB / s | 4.60 GB / s |
| BANDE PASSANTE 100 % ÉCRITURE 15W256B | 2.25 GB / s | 3.15 GB / s | 2.60 GB / s |
| BANDE PASSANTE 100% LU 15W64B | 1.86 GB / s | 2.03 GB / s | 1.86 GB / s |
| BANDE PASSANTE 67 % LU ; 33 % ÉCRIVENT 15W64B | 1.06 GB / s | 1.41 GB / s | 1.15 GB / s |
| BANDE PASSANTE 100 % ÉCRITURE 15W64B | 0.56 GB / s | 0.79 GB / s | 0.65 GB / s |
| FRÉQUENCE DDR | 2666 MT / s | ||
| TDP MAX | 15W | 18W | |
| TEMPÉRATURE (TJMAX) | ≤ 83°C (85°C arrêt, 83°C par défaut) température du support | ||
| TEMPÉRATURE (AMBIANCE) | 48°C @ 2.4m/s pour 12W | ||
| TEMPÉRATURE (AMBIANCE) | 43°C @ 2.7m/s pour 15W | ||
Disponibilité
La série Intel Optane Persistent Memory 200 est disponible et expédiée dès maintenant.
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