Aujourd'hui, Samsung Electronics Co., Ltd. a lancé une version 800 Go de son Z-SSD, SZ985. Ce nouveau disque est destiné à des cas d'utilisation tels que l'intelligence artificielle (IA), le Big Data, le calcul haute performance (HPC) et les applications Internet des objets (IoT). Le nouveau 800 Go, ainsi que la version 240 Go, du Z-SSD seront présentés à l'ISSCC 2018 du 11 au 15 février à San Francisco.
Le Z-SSD est un SSD à quatre voies à ultra-haute performance et à latence ultra-faible qui a été annoncé pour la première fois il y a plus d'un an, mais Samsung est particulièrement avare de détails. La société cite des performances de lecture aléatoire de 750 170 IOPS, d'écriture aléatoire de 16 10 IOPS et de 3 μs de latence, ce qui le rend nettement plus rapide qu'un lecteur NVMe. Ils déclarent que les puces Z-NAND ont des performances de lecture de cellule 1.5 fois supérieures à celles des puces V-NAND 4 bits. Le lecteur est également équipé d'une mémoire DRAM LPDDRXNUMX de XNUMX Go et d'un contrôleur hautes performances.
Le Z-SSD a des nombres d'endurance de 30DWPD pendant cinq ans ou 43PB au total et 2 millions d'heures MTBF. Les cas d'utilisation incluent les données de cache à grande vitesse, le traitement des données de journal, l'IA, le Big Data et l'IoT.
Amazon