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Toshiba annonce de nouveaux produits de mémoire flash NAND pour les applications embarquées

Stockage attaché  ◇  Entreprise

Toshiba America Electronic Components, Inc. a annoncé une nouvelle famille de produits de mémoire flash NAND pour les applications embarquées, l'interface série NAND de Toshiba. La famille Serial Interface NAND est compatible avec Serial Peripheral Interface (SPI) et propose un large éventail de cas d'utilisation, notamment des téléviseurs à écran plat, des imprimantes, des appareils portables et des robots. La famille Serial Interface NAND se compose de 12 produits ; comprend trois densités (1Gb, 2Gb et 4Gb); deux packages (WSON et SOP) ; et deux tensions d'alimentation.

Comme des densités de mémoire plus importantes sont nécessaires pour les fonctionnalités améliorées que l'on trouve maintenant dans les dispositifs embarqués, la demande s'éloigne de la mémoire NOR standard vers la mémoire flash SLC NAND. Grâce à sa compatibilité avec SPI, la famille Serial Interface NAND de Toshiba peut être contrôlée avec 6 broches et être utilisée comme mémoire flash SLC NAND.

Caractéristiques principales:

  • Utilise la technologie de processus 24nm pour SLC NAND
  • Compatible avec le SPI largement utilisé, qui peut être contrôlé avec un faible nombre de broches de 6 broches
  • Disponible en petits emballages polyvalents. La taille du boîtier WSON est de 6.0 mm × 8.0 mm et la taille du boîtier SOP est de 10.3 mm × 7.5 mm. Les produits du boîtier BGA*3 sont également en cours de développement, avec des livraisons d'échantillons prévues pour le premier trimestre (janvier-mars) de 2016. Les boîtiers et les affectations de broches sont compatibles avec les mémoires flash série courantes.
  • ECC (code de correction d'erreur) intégré avec fonction de rapport de comptage de retournement de bits
  • Fonctionnalités de protection des données intégrées

Caractéristiques principales

  • Densité : 1Gbit / 2Gbit / 4Gbit
  • Tailles de page : 2 Ko (1 Gbit, 2 Gbit), 4 Ko (4 Gbit)
  • Interface : Interface périphérique série Mode 0, Mode 3
  • E/S : x1, x2, x4
  • Tensions : 2.7-3.6 V, 1.7-1.95 V
  • Plage de température de fonctionnement : -40 °C à 85 °C
  • Boîtiers : WSON 8 broches (6 mm × 8 mm) et SOP 16 broches (10.3 mm × 7.5 mm)
  • Autres           
    • Fonction de lecture séquentielle à grande vitesse
    • Fonction ECC (ON/OFF, rapport de comptage de retournement de bits)
    • Fonction de protection des données (capable de protéger des blocs spécifiques)
    • Fonction de page de paramètres (capable d'afficher des informations détaillées sur l'appareil)

Disponibilité

Toshiba expédie déjà des échantillons de la nouvelle famille NAND dont la production de masse devrait commencer en décembre 2015.

Toshiba mondial

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Adam Armstrong

Adam est le rédacteur en chef des actualités de StorageReview.com, gérant nos équipes de contenu internes et indépendantes.