Toshiba Memory America a annoncé la deuxième génération de produits de mémoire flash SLC NAND pour les applications embarquées. Les produits NAND d'interface série de deuxième génération de la société prennent en charge l'interface périphérique série (SPI) et peuvent être utilisés dans une variété d'applications qui nécessitent des transferts de données à grande vitesse. La nouvelle ligne Serial Interface NAND comprend huit produits avec des tensions d'alimentation de 2.70 à 3.60 V et de 1.70 à 1.95 V.
Les nouveaux produits Toshiba sont cités avec des vitesses plus rapides (par exemple, 104 MHz à 133 MHz) par rapport aux générations précédentes et disposent d'une nouvelle commande qui charge les données pour la programmation en mode 4 bits (QSPI). Toshiba indique que l'ajout d'un périphérique 8 Go apporte également une densité NAND améliorée.
Fonctionnalités clés
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Densité |
1 Go, 2 Go, 4 Go, 8 Go |
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Tailles de page |
2 Ko (1 Go, 2 Go), 4 Ko (4 Go, 8 Go) |
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Interface |
Interface périphérique série Mode 0, Mode 3 |
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Tension d'alimentation |
2.70 à 3.60V, 1.70 à 1.95V |
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Température de fonctionnement |
- 40 oC 85 oC |
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Caractéristiques |
・Fréquence de fonctionnement de 133 MHz ・Mode programme/lecture x4 ・Fonction de lecture séquentielle à grande vitesse ・Fonction ECC (ON/OFF, rapport de comptage de retournement de bits) ・Fonction de protection des données (capable de protéger des blocs spécifiques) ・Fonction de page de paramètres (capable de produire des informations détaillées sur l'appareil) |
Disponibilité
Des échantillons sont disponibles dès maintenant et la production de masse est prévue pour un certain temps en octobre.
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