Kioxia e Sandisk hanno delineato un piano congiunto di investimenti di capitale per un totale di oltre 31 miliardi di dollari (circa 5 trilioni di yen) entro il 2032 per espandere la produzione di memorie flash 3D NAND avanzate in Giappone. L'impiego previsto di capitali è subordinato ai sussidi del governo giapponese e si basa sulla partnership produttiva venticinquennale della joint venture, che in passato ha destinato oltre 50 miliardi di dollari alle infrastrutture di produzione locali.
Gli investimenti in conto capitale finanzieranno attrezzature avanzate, l'automazione delle camere bianche basata sull'intelligenza artificiale e l'espansione delle infrastrutture nei principali centri di produzione della joint venture presso gli stabilimenti di Yokkaichi e Kitakami. Entrambe le organizzazioni puntano a garantire una crescita pluriennale della capacità produttiva e a stabilizzare l'offerta globale di memorie flash, in un contesto di crescente domanda di storage ad alta densità per carichi di lavoro aziendali, infrastrutture hyperscale, implementazioni edge e architetture di intelligenza artificiale per i clienti.
Sono in corso i lavori di costruzione del terzo stabilimento (Fab3) presso l'impianto di Kitakami.
In linea con la roadmap degli investimenti, Kioxia ha avviato i lavori di preparazione del sito per Fab3, un nuovo impianto di produzione di semiconduttori situato a sud di Fab2 presso lo stabilimento di Kitakami, nella prefettura di Iwate. Fab3 è progettato per la produzione della tecnologia BiCS FLASH 3D NAND di nuova generazione , con l'avvio della produzione previsto per l'anno fiscale 2029. I programmi definitivi di implementazione, la realizzazione delle camere bianche e l'installazione delle apparecchiature saranno definiti in fasi successive in base alla domanda di mercato e agli stanziamenti finali di sostegno governativo.
Questa espansione fa seguito all'accordo di gennaio che ha formalmente esteso il quadro operativo della joint venture presso lo stabilimento di Yokkaichi fino a dicembre 2034. La struttura della joint venture consente a entrambe le società di investire congiuntamente in risorse per la fabbricazione di wafer, condividere lo sviluppo di tecnologie di processo e sfruttare sistemi di produzione intelligenti per aumentare la resa produttiva nelle transizioni ai nodi tecnologici più all'avanguardia.
Prospettive di leadership sulla strategia a lungo termine
La dirigenza ha sottolineato che un impiego costante di capitali rimane fondamentale per mantenere una densità di bit competitiva, un'efficienza energetica e un'elevata larghezza di banda per le piattaforme di calcolo più esigenti.
"Questo investimento congiunto rafforza ulteriormente la nostra partnership di lunga data con Sandisk e sottolinea il forte impegno di Kioxia nel contribuire al progresso di una società basata sull'intelligenza artificiale", ha dichiarato Hiroo Ota, Presidente e CEO di Kioxia. Ota ha inoltre evidenziato come il supporto strategico del governo giapponese sia essenziale per mantenere la competitività produttiva.
"Per decenni, Sandisk e Kioxia hanno sviluppato congiuntamente una tecnologia di memoria flash NAND di livello mondiale", ha dichiarato David Goeckeler, Presidente e CEO di Sandisk. Goeckeler ha affermato che gli investimenti previsti sono in linea con la strategia aziendale e le previsioni finanziarie della società, garantendo l'approvvigionamento per la crescente domanda dei clienti e creando al contempo nuove opportunità economiche nelle comunità in cui opera la joint venture.
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