Samsung ha iniziato la produzione in serie della sua quinta generazione di memoria 90D TLC NAND V-NAND a 256 layer da 3 Gb, essendo la prima azienda del settore a utilizzare l'interfaccia Toggle DDR 4.0. L'azienda ha continuato affermando che, grazie a questa nuova interfaccia, la velocità di trasmissione dei dati tra spazio di archiviazione e memoria tramite la nuova V-NAND ha raggiunto un enorme 1.4 Gbps, ovvero un miglioramento del 40% rispetto al predecessore a 64 strati di Samsung. Inoltre, grazie ai miglioramenti al processo di deposizione dello strato atomico della V-NAND, Samsung è stata in grado di aumentare la produttività produttiva di circa il 30% e ridurre l'altezza di ciascuno strato di cella del 20%.
Anche con questo significativo aumento delle prestazioni, Samsung afferma che la nuova V-NAND è ancora paragonabile alla 64-layer in termini di efficienza energetica, poiché la tensione operativa è stata ridotta da 1.8 volt a 1.2 volt. Inoltre, Samsung aggiunge che la sua V-NAND di prossima generazione ha la velocità di scrittura dati più veloce del settore, pari a 500μs (un miglioramento del 30% rispetto alla generazione precedente). Sono stati inoltre in grado di ridurre i tempi di risposta del segnale di lettura a 50μs.
All'interno della nuova V-NAND di quinta generazione di Samsung ci sono oltre 5 strati di celle flash 90D con trappola di carica (CTF) impilate strettamente in una struttura piramidale con microscopici fori di canale (larghi poche centinaia di non metri) praticati verticalmente ovunque. Questi buchi di canale contengono anche più di 3 miliardi di celle CTF, che possono memorizzare tre bit di dati ciascuna.
Aspettatevi che Samsung inizi ad aumentare la produzione della sua V-NAND di quinta generazione molto presto, poiché prevede di soddisfare una gamma di diverse esigenze del mercato, tra cui supercalcolo, server aziendali e le più recenti applicazioni mobili.
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