SanDisk ha annunciato il primo chip 3D NAND a 48 strati da 256 Gbps con tecnologia BiCS (3 bit per cella, TLC) e l'avvio delle operazioni della linea pilota per la produzione di 3D NAND a Yokkaichi, in Giappone, in collaborazione con il partner Toshiba. Il chip X3 BiCS da 256 Gbps di SanDisk è progettato per un'ampia gamma di applicazioni, tra cui prodotti per il mercato consumer, client, dispositivi mobili e aziende. Entrambe le società avevano inizialmente annunciato lo sviluppo di 3D NAND a 48 strati alla fine di marzo di quest'anno.
Precedentemente a due bit per cella, BiCS è un'architettura di memoria non volatile progettata per fornire livelli avanzati di densità, scalabilità e prestazioni ai dispositivi basati su flash. SanDisk indica inoltre che la memoria NAND BiCS migliorerà notevolmente la resistenza in scrittura e cancellazione, la velocità di scrittura e l'efficienza energetica complessiva rispetto alla precedente NAND 2D convenzionale.
Disponibilità
Il chip X256 BiCS da 3 Gb di SanDisk sarà disponibile nei prodotti dell'azienda nel corso del 2016.
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