Toshiba ha annunciato lo sviluppo di una memoria flash con struttura a celle impilate tridimensionali a 48 strati denominata BiCS, un dispositivo da 2 gigabit (128 gigabyte) a 16 bit per cella. Adatto principalmente per unità a stato solido, BiCS si basa su un processo di stacking a 48 strati, che migliora l'affidabilità della resistenza di scrittura/cancellazione aumentando al tempo stesso la velocità di scrittura. Le spedizioni campione di prodotti che utilizzano la nuova tecnologia di processo inizieranno oggi.
Toshiba ha continuato a porre l'accento sullo sviluppo di una produzione di massa ottimizzata per soddisfare l'ulteriore crescita del mercato nel 2016 e in futuro. L'azienda ha inventato la tecnologia BiCS 3D nei primi anni 2000 e Toshiba sta sostenendo in modo proattivo la migrazione alla memoria Flash 3D rilasciando un portafoglio di prodotti incentrato su applicazioni di grande capacità, inclusi gli SSD. La tecnologia 3D di Toshiba offre quattro vantaggi chiave: utilizza meno energia, promuove una migliore resistenza, aumenta l’efficienza energetica e offre una maggiore densità. Di conseguenza, ciò rende la tecnologia ideale per una varietà di casi d'uso di applicazioni ad alte prestazioni.
Toshiba si sta inoltre preparando per la produzione di massa nella nuova Fab2 presso Yokkaichi Operations, il suo sito di produzione per le memorie flash NAND. Più o meno in questo periodo l'anno scorso, la società annunciò che avrebbe sostituito il vecchio impianto di produzione a Yokkaichi, in Giappone, per passare alla tecnologia 3D NAND. La nuova Fab2 è attualmente in costruzione e sarà completata nella prima metà del 2016.
Micron e Intel hanno inoltre annunciato oggi una nuova tecnologia 3D NAND sviluppata congiuntamente.
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