Samsung ha annunciato che produrrà in serie la prima memoria DDR4 con tecnologia Through Silicon Via (TSV) del settore, in moduli da 128 GB, destinata a server e data center aziendali. Inoltre, la nuova tecnologia TSV RDIMM di Samsung apre la strada a memorie ad altissima capacità a livello aziendale. Il nuovo modulo DRAM TSV è pubblicizzato come il modulo DRAM con la maggiore capacità e la più alta efficienza energetica attualmente disponibile, garantendo al contempo prestazioni elevate e un'elevata affidabilità. Il modulo TSV DDR4 RDIMM da 128 GB è dotato di 144 chip DDR4 disposti in 36 package DRAM da 4 GB, ciascuno dei quali contiene quattro chip da 8 Gb basati su tecnologia a 20 nm, assemblati con l'avanzata tecnologia di packaging TSV. La scorsa settimana, l'azienda ha annunciato una partnership con Netlist per la produzione di una nuova classe di soluzioni di memoria , NVDIMM-P (NV-P).
Mentre i pacchetti di chip tradizionali collegano le pile di die tramite wire bonding, i pacchetti TSV utilizzano matrici di chip che vengono macinate fino a pochi micrometri, quindi forate con centinaia di fori sottili e collegate verticalmente da elettrodi che passano attraverso i fori. Ciò consente un aumento sostanziale della trasmissione del segnale. Inoltre, il nuovo modulo TSV DDR128 da 4 GB di Samsung presenta un design unico in cui il chip master di ciascun pacchetto da 4 GB incorpora la funzione di buffer dei dati per ottimizzare le prestazioni del modulo e l'efficienza energetica. Ciò crea una soluzione a basso consumo per i server di prossima generazione e velocità fino a 2,400 Mbps. Samsung indica che questo numero è quasi il doppio delle prestazioni e il 50% più efficiente dal punto di vista energetico rispetto agli LRDIMM da 64 GB. Inoltre, la DRAM TSV di Samsung includerà moduli con velocità di trasferimento dati fino a 2,667 Mbps e 3,200 Mbps, progettati per intensificare le esigenze dei server aziendali.
Samsung prevede di offrire una gamma completa dei suoi nuovi moduli DRAM TSV ad alte prestazioni entro le prossime settimane, inclusi LRDIMM da 128 GB. L'azienda prevede inoltre di espandere le applicazioni TSV nelle memorie ad alta larghezza di banda (HBM) e nei prodotti di consumo.
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