ソリッド ステート フラッシュ メモリは、NAND および NOR テクノロジーを使用して利用できます。 NOR テクノロジーにより、通常の RAM メモリ チップと同じように直接ランダム アドレス指定とデータ フローが可能になり、処理システム内でプログラムの保存と実行に使用できるようになります。 NOR フラッシュ チップは速度が遅く、密度が低く、再書き込み耐久性が限られているため、回転ディスクの代替として使用する場合は NAND ベースのソリューションよりも劣ります。
ソリッド ステート フラッシュ メモリは、NAND および NOR テクノロジーを使用して利用できます。 NOR テクノロジーにより、通常の RAM メモリ チップと同じように直接ランダム アドレス指定とデータ フローが可能になり、処理システム内でプログラムの保存と実行に使用できるようになります。 NOR フラッシュ チップは速度が遅く、密度が低く、再書き込み耐久性が限られているため、回転ディスクの代替として使用する場合は NAND ベースのソリューションよりも劣ります。
NAND フラッシュ テクノロジは、ディスク ドライブと同様のシリアル メモリです。データは、アドレス指定可能な個別のビットまたはバイトとしてではなく、ブロック単位でアドレス指定および保存されます。 NAND フラッシュ ベースのソリッド ステート ドライブは、システムの観点から回転磁気ディスクを模倣するように設計されており、より高速なアクセス時間と同等のデータ スループット レートを提供します。磁気ディスクと比較した SSD の主な欠点は、データ密度とメガバイトあたりのコストです。
- データ インターフェース – 通常は 8 ビット、より高密度な部分では 16 ビットの場合もあります
- I/O コントローラー – データ、コマンド、およびステータス ワード タイプを多重化します。コマンドをデコードします
- 制御ロジック – フラッシュ コントローラーとの I/O トランザクション ハンドシェイクを管理します
- アドレス レジスタ – 読み取りまたは書き込みのためにアクセスされるブロックを識別します
- データ/キャッシュ レジスタ – I/O と配列の間でデータをバッファリングする単一ワードの静的レジスタ
- ステータス レジスタ – トランザクションとデータ フローのエラーにフラグを立てます
- 行/列デコード – アドレス値をページ値に分割します。
- フラッシュ アレイ – 行と列に配置されたフラッシュ セル
コントロールライン
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説明
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使用法
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THE
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入力
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アドレスラッチイネーブル:ALEがHIGHの間、アドレス情報は
I/O[7:0]からオンチップアドレスレジスタに転送されます。 LOWからHIGHへ
WE# での遷移 — アドレス情報がロードされていないとき — ALE 信号
LOW で駆動する必要があります。
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CE#
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入力
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チップイネーブル: ホストシステムと NAND フラッシュデバイス間の転送をゲートします。
デバイスがビジーになった後、または PROGRAM または ERASE 操作を開始した後、CE# は
アサート解除されました。動作の詳細については、16 ページの「バスの動作」を参照してください。
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CLE
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入力
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コマンドラッチイネーブル: CLE が HIGH の場合、情報は次から転送されます。
WE# の立ち上がりエッジでオンチップ コマンド レジスタへの I/O [7:0]。いつ
コマンド情報がロードされていない場合は、CLE 信号を LOW に駆動する必要があります。
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LOCK
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入力
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電源投入時に LOCK が HIGH の場合、BLOCK LOCK 機能が有効になります。
BLOCK LOCK を無効にするには、電源投入時に LOCK を VSS に接続するか、そのままにしておきます。
未接続 (内部プルダウン)。
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キング#
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入力
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読み取り有効化: NAND フラッシュ デバイスからホスト システムへの転送をゲートします。
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私たちは#
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入力
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書き込みイネーブル: ホスト システムから NAND フラッシュ デバイスへの転送をゲートします。
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WP#
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入力
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書き込み保護: 不注意な PROGRAM および ERASE 操作から保護します。全て
WP# が LOW の場合、PROGRAM および ERASE 操作は無効になります。
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I/O[7:0] (x8)
I/O[15:0] (x16)
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I / O
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データ入力/出力: 双方向 I/O 信号はアドレス、データ、命令を転送します。
情報。データは READ 操作中にのみ出力されます。またある時は I/O
信号は入力です。
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R/B#
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出力
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レディ/ビジー: レディ/ビジー信号は、オープンドレイン、アクティブ LOW 出力であり、
外部プルアップ抵抗。この信号は、チップがいつ処理しているかを示すために使用されます。
PROGRAM または ERASE 操作。この信号は、READ 操作中にも使用され、
データがアレイからシリアル データ レジスタに転送されるときを示します。
これらの動作が完了すると、レディ/ビジー信号はハイ インピーダンスに戻ります。
でのみ停止させることができます。
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VCC
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供給
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VCC: VCC ボールは電源です。
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VSSの
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供給
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VSS: VSS ボールはグランド接続です。
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- 検出 - フラッシュ コントローラーがフラッシュ コンポーネントの特性を判断できるようにします。
- LUN アドレッシング – コントローラーがフラッシュ コンポーネントでの操作を個別にアクティブ化できるようにします。
- インターリーブ – コントローラーが一連のフラッシュ コンポーネントに対する操作を同期できるようにします。
- キャッシュ – フラッシュ アレイの操作とは関係なく、コントローラーとの間でデータをやり取りできるようになります。
- コピーバック – コントローラーが直接関与することなく、Flash コンポーネントがデータをあるブロックから別のブロックに移動できるようにします。
- ハイニックス
- インテル
- ミクロン
- サンディスク
- 東芝
- ニューモニクス (ST マイクロ)
- サムスン
- プログラマティック – コスト、スケジュール、サポート、保証、および可用性。
- 技術的 – パフォーマンス、電力、パッケージ オプション、機能、拡張性、および柔軟性。
- その他 – 共通性、互換性、ドキュメント、開発サポート、テスト、評判。