삼성은 SSD에 사용되는 48개 층의 3비트 MLC 어레이 기반 256GB 3D V-NAND 플래시 메모리의 양산에 돌입했다고 발표했습니다. 이는 지난주 8월 3일 샌디스크가 유사한 발표를 한 지 얼마 지나지 않아 나온 소식입니다.
삼성은 앞서 2014년 8월에 2세대 V-NAND(32단 3비트 MLC V-NAND) 칩을 처음 공개했습니다 . 불과 1년 만에 기존 128Gb NAND 플래시 칩의 밀도를 두 배로 높여 256Gb 3D V-NAND를 개발했고, 이를 통해 단일 칩에 32기가바이트(또는 256기가비트)의 메모리 저장 용량을 구현했습니다. 또한, 이 새로운 칩은 기존 SSD 모델의 용량을 두 배로 늘려 수 테라바이트급 SSD 제조를 가능하게 합니다.
V-NAND 칩의 각 셀은 동일한 3D CTF(Charge Trap Flash) 구조를 활용합니다. 셀 어레이를 수직으로 쌓아 48층 매스를 만들고 독특한 식각 기술로 셀 어레이를 관통하는 약 1.8억 개의 채널 홀을 통해 전기적으로 연결합니다. 삼성은 각 칩에 총 85.3억 개 이상의 셀이 포함되어 있으며 3비트의 데이터를 저장할 수 있다고 밝혔습니다. 그 결과 256센트보다 크지 않은 칩에 256억 비트의 데이터(예: XNUMXGb)가 생성됩니다.
또한 삼성은 48단 3비트 MLC 256Gb V-NAND 플래시 칩이 30단 32비트 MLC 3Gb V-NAND 칩에 비해 전력 효율이 128% 이상 감소했다고 주장합니다. 같은 양의 데이터. 이 회사는 또한 새로운 칩이 생산 중에 40단 이전 칩보다 약 32% 더 높은 생산성을 달성하여 훨씬 더 비용 효율적이라고 덧붙였습니다.
이용 가능 여부 (Availability)
삼성은 3년까지 2015세대 V-NAND를 제조할 계획입니다. 2TB 이상의 밀도를 가진 SSD를 출시하는 것 외에도 회사는 PCIe NVMe 및 SAS 인터페이스.
아마존