Toshiba는 셀당 48비트 2기가비트(128기가바이트) 장치인 BiCS라는 이름의 16층 48차원 적층 셀 구조 플래시 메모리의 개발을 발표했습니다. 솔리드 스테이트 드라이브에 주로 적합한 BiCS는 쓰기 속도를 높이는 동시에 쓰기/지우기 내구성의 신뢰성을 향상시키는 XNUMX계층 적층 프로세스를 기반으로 합니다. 새로운 공정 기술을 사용한 제품의 샘플 출하가 오늘부터 시작됩니다.
Toshiba는 2016년과 향후 시장 성장에 부응하기 위해 최적화된 대량 생산 개발에 지속적으로 중점을 두었습니다. 이 회사는 3년대 초에 BiCS 2000D 기술을 발명했으며 Toshiba는 SSD를 포함한 대용량 애플리케이션에 중점을 둔 제품 포트폴리오를 출시함으로써 3D 플래시 메모리로의 마이그레이션을 적극적으로 지지하고 있습니다. Toshiba의 3D 기술은 3가지 주요 이점을 제공합니다. XNUMXD 기술은 더 적은 전력을 사용하고 더 나은 내구성을 촉진하며 전력 효율성을 높이고 더 높은 밀도를 제공합니다. 그 결과 이 기술은 다양한 고성능 애플리케이션 사용 사례에 이상적입니다.
Toshiba는 또한 NAND 플래시 메모리 생산 시설인 Yokkaichi Operations의 새로운 Fab2에서 대량 생산을 준비하고 있습니다. 작년 이맘때쯤 회사는 3D NAND 기술로의 전환을 위해 일본 요카이치에 있는 오래된 제조 시설을 교체할 것이라고 발표했습니다. 새로운 Fab2는 현재 공사 중이며 2016년 상반기 중 완공될 예정입니다.
마이크론과 인텔은 오늘 공동 개발한 새로운 3D NAND 기술을 발표했습니다.
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아마존