Samsung heeft aangekondigd dat het is begonnen met de massaproductie van het eerste 3-bit multi-level-cell (TLC) 3D V-NAND-flashgeheugen in de industrie voor gebruik in SSD's. De 3-bits V-NAND maakt gebruik van 32 verticaal gestapelde cellagen per NAND-geheugenchip (waarbij elke chip 128 Gb opslagruimte biedt) en is Samsungs tweede generatie V-NAND-pakket.
Elke cel is elektrisch verbonden met een niet-geleidende laag met behulp van Charge Trap Flash (CTF)-technologie in de V-NAND-chipstructuur van Samsung. Bovendien is elke celreeks verticaal op elkaar gestapeld om chips met miljarden cellen te vormen. Samsung geeft aan dat het gebruik van 3 bit-per-cel, 32-laags verticaal gestapelde celarrays de efficiëntie van de geheugenproductie aanzienlijk verhoogt. Vergeleken met de 10 nanometer-klasse 3-bits vlakke NAND-flitser van Samsung, heeft deze nieuwe 3-bits V-NAND meer dan tweemaal de waferproductiviteit.
Samsung introduceerde zijn eerste generatie V-NAND (24-laags cellen) in augustus 2013 en de tweede generatie V-NAND (32-laags) in mei van dit jaar . De aankondiging van Samsungs 32-laags, 3-bits V-NAND maakt de weg vrij voor een snellere evolutie van de V-NAND-productietechnologie. Samsung heeft ook diverse SSD's uitgebracht die gebaseerd zijn op eerdere versies van V-NAND, zoals de 845DC Pro en de SM1715 NVMe- schijf.
TLC V-NAND zal helpen om de acceptatie van SSD's voor algemene pc-gebruikers te vergroten, evenals de steeds groter wordende behoefte aan opslag in de onderneming. De nieuwe NAND-technologieën blijven prijsdruk uitoefenen op SSD's, waardoor de waarde van flash boven harde schijven toeneemt, vooral in de onderneming waar 10K en 15K HDD's worden vervangen door goedkopere 2.5-inch flashdrives met een hogere capaciteit. Deze aankondiging gaat ook verder versterkt de reputatie van Samsung als de meest agressieve op de markt om nieuwe NAND-technologieën toe te passen en in te zetten.
Amazon