Toshiba heeft de ontwikkeling aangekondigd van een 48-laags driedimensionaal gestapeld celstructuur flashgeheugen genaamd BiCS, een 2-bit-per-cel 128-gigabit (16 gigabyte) apparaat. De BiCS is voornamelijk geschikt voor solid-state schijven en is gebaseerd op een 48-laags stapelproces, dat de betrouwbaarheid van schrijven/wissen verbetert en tegelijkertijd de schrijfsnelheid verhoogt. Voorbeeldzendingen van producten die gebruik maken van de nieuwe procestechnologie starten vandaag.
Toshiba is de nadruk blijven leggen op het ontwikkelen van geoptimaliseerde massaproductie om te voldoen aan de verdere marktgroei in 2016 en in de toekomst. Het bedrijf vond de BiCS 3D-technologie uit in het begin van de jaren 2000 en Toshiba ondersteunt proactief de migratie naar 3D Flash-geheugen door een productportfolio uit te brengen dat zich richt op toepassingen met grote capaciteit, waaronder SSD's. De 3D-technologie van Toshiba biedt vier belangrijke voordelen: 3D-technologie gebruikt minder stroom, bevordert een beter uithoudingsvermogen, verhoogt de energie-efficiëntie en biedt een hogere dichtheid. Als gevolg hiervan is de technologie ideaal voor een verscheidenheid aan gebruiksscenario's voor krachtige toepassingen.
Toshiba bereidt zich ook voor op massaproductie in hun nieuwe Fab2 bij Yokkaichi Operations, de productielocatie voor NAND-flashgeheugens. Vorig jaar rond deze tijd kondigde het bedrijf aan dat het hun oude fabricagefaciliteit in Yokkaichi, Japan, zou vervangen voor de overgang naar 3D NAND-technologie. De nieuwe Fab2 is momenteel in aanbouw en zal ergens in de eerste helft van 2016 worden opgeleverd.
Micron en Intel hebben vandaag ook een nieuwe, gezamenlijk ontwikkelde 3D NAND-technologie aangekondigd.
Bespreek dit verhaal
Amazon