Firma Intel ogłosiła wprowadzenie na rynek pamięci trwałej Optane serii 200 – drugiej generacji wysokowydajnych i trwałych modułów pamięci dla procesorów Intel Xeon Scalable trzeciej generacji na platformach 4-gniazdowych. Nowa linia pamięci trwałej (PMem) ma zapewnić średnio o 25% większą przepustowość pamięci w porównaniu z poprzednią generacją, 12–15 watów mocy obliczeniowej (TDP) i jest dostępna w pojemnościach do 512 GB.
Przeczytaj więcej – recenzja procesora Intel PMem 200
Platformy zoptymalizowane pod kątem procesorów trzeciej generacji mogą obsługiwać jeden moduł Intel Optane PMem serii 200 na kanał (i do sześciu na jednym gnieździe), co oznacza, że oferuje do 3 TB pamięci PMem na gniazdo i całkowitą pojemność pamięci (z pamięcią DRAM) 4.5 TB na gniazdo. Zapewnia również trwałość danych w pamięci, dzięki czemu dane pozostają w pamięci PMem zarówno po planowanym, jak i przypadkowym restarcie. Pomaga to wyeliminować niepotrzebne przeładowywanie danych, co skraca czas przestoju i zmniejsza straty spowodowane awariami systemu.
Firma Intel wskazuje następujące sposoby, w jakie seria Intel Optane PMem 200 poprawi kluczowe wskaźniki centrów danych:
- Zwiększone wykorzystanie procesora i użyteczność każdego serwera
- Zwiększona przepustowość aplikacji dzięki większej pojemności pamięci
- Zwiększona gęstość maszyn wirtualnych lub obsługa większej liczby usług i użytkowników
- Obsługa większych baz danych w pamięci bez wygórowanych cen
- Zwiększ odporność biznesową systemów z krytycznymi danymi
- Konsolidacja zasobów serwerowych, redukcja kosztów licencji oprogramowania i maksymalizacja zwrotu z inwestycji przedsiębiorstwa
Seria Intel Optane PMem 200 wykorzystuje również transparentne dla aplikacji szyfrowanie AES-256 dla danych w spoczynku, co zabezpiecza dane w pamięci trwałej bez konieczności zmiany kodu oprogramowania i przy minimalnym wpływie na wydajność.
Intel dodaje, że seria Optane PMem 200 pomoże użytkownikom uzyskać więcej danych do wyodrębnienia z większych zbiorów danych, zapewniając dużą użyteczność każdemu serwerowi. Ponadto bazy danych w pamięci mogą uzyskiwać dostęp do większej ilości danych z „prędkością porównywalną z pamięcią DRAM”, a obciążenia przetwarzające ogromne zbiory danych mogą działać w sposób ciągły, bez konieczności wielokrotnego ładowania i przechowywania danych lokalnie.
Specyfikacje pamięci trwałej Intel Optane serii 200
| SKU+ | 128 GB | 256 GB | 512 GB | |||
| POJEMNOŚĆ UŻYTKOWNIKA+ | 126.7 GiB | 253.7 GiB | 507.7 GiB | |||
| ENDURANCE 100% NAPISZ 15W 256B |
292 PBW | 497 PBW | 410 PBW |
| ENDURANCE 67% CZYTA; 33% PISA 15W 256B | 224 PBW | 297 PBW | 242 PBW |
| ENDURANCE 100% NAPISZ 15W 64B | 73 PBW | 125 PBW | 103 PBW |
| ENDURANCE 67% CZYTA; 33% PISA 15W 64B | 56 PBW | 74 PBW | 60 PBW |
| Łącze 100% PRZECZYTANO 15W 256B | 7.45 Gb / s | 8.10 Gb / s | 7.45 Gb / s |
| Łącze 67% CZYTA; 33% PISA 15W 256B | 4.25 Gb / s | 5.65 Gb / s | 4.60 Gb / s |
| Łącze 100% NAPISZ 15W 256B | 2.25 Gb / s | 3.15 Gb / s | 2.60 Gb / s |
| Łącze 100% PRZECZYTANO 15W 64B | 1.86 Gb / s | 2.03 Gb / s | 1.86 Gb / s |
| Łącze 67% CZYTA; 33% PISA 15W 64B | 1.06 Gb / s | 1.41 Gb / s | 1.15 Gb / s |
| Łącze 100% NAPISZ 15W 64B | 0.56 Gb / s | 0.79 Gb / s | 0.65 Gb / s |
| CZĘSTOTLIWOŚĆ DDR | 2666 MT / s | ||
| MAX TDP | 15W | 18W | |
| TEMPERATURY (TJMAX) | ≤ 83°C (85°C wyłączenie, 83°C domyślnie) temperatura nośnika | ||
| TEMPERATURY (OTOCZENIA) | 48°C przy 2.4 m/s dla 12 W | ||
| TEMPERATURY (OTOCZENIA) | 43°C przy 2.7 m/s dla 15 W | ||
Dostępność:
Pamięci trwałe Intel Optane serii 200 są już dostępne i wysyłane w ciągu kilku dni.
Przeczytaj więcej – recenzja procesora Intel PMem 200
Amazon