Micron Technology i Intel ogłosiły dziś dostępność swojej nowej technologii 3D NAND. Opracowana wspólnie przez obie firmy, ta nowa technologia pamięci flash jest reklamowana jako technologia o najwyższej gęstości na świecie. Firmy twierdzą, że będą w stanie uzyskać trzykrotnie większą pojemność niż konkurencyjne technologie NAND.
Pamięć Flash jest wdrażana lub już wykorzystywana w większości branż, od urządzeń mobilnych dla użytkowników indywidualnych po wdrożenia korporacyjne. Największym problemem, z którym obecnie boryka się branża, jest to, że planarna pamięć NAND osiąga swój praktyczny limit skalowalności. Micron i Intel dążą do zmiany tego stanu rzeczy dzięki swojej 3D NAND, która łączy warstwy komórek pamięci danych w pionie.
Intel i Micron zdecydowały się na zastosowanie w swoich układach pamięci 3D NAND ogniw z ruchomą bramką (floating gate cell), które są już od pewnego czasu stosowane w branży. Jest to pierwsze zastosowanie ogniw z ruchomą bramką w pamięci 3D NAND. Dzięki sprawdzonej technologii komórek z ruchomą bramką, Intel i Micron wierzą, że dzięki niej mogą uzyskać lepszą wydajność, niezawodność i wyższą jakość. Ta nowa technologia 3D NAND umożliwia pionowe układanie komórek flash w 32 warstwach. Pozwoli to uzyskać matryce MLC o pojemności 256 GB i matryce TLC o pojemności 384 GB, które nadal mieszczą się w standardowych obudowach. To zwiększenie pojemności pozwoli dyskom SSD M.2 osiągnąć całkowitą pojemność 3.5 TB lub więcej, a standardowym dyskom SSD 2.5" będzie to 10 TB lub więcej. To zwiększenie pojemności sprawi, że pamięć flash stanie się znacznie bardziej atrakcyjna dla centrów danych, które muszą pomieścić pamięć masową o określonej gęstości.
Najważniejsze cechy to:
- Duża pojemność – trzykrotnie większa pojemność niż w przypadku obecnej technologii 3D – aż do 48 GB pamięci NAND na kość – co pozwala na umieszczenie trzech czwartych terabajta w pojedynczym pakiecie wielkości opuszka palca.
- Niższy koszt na GB – pamięć NAND 3D pierwszej generacji została zaprojektowana tak, aby osiągnąć lepszą efektywność kosztową niż pamięć NAND planarna.
- Szybkość – duża przepustowość odczytu/zapisu, prędkość wejścia/wyjścia i wydajność losowego odczytu.
- Zielony – nowe tryby uśpienia umożliwiają oszczędzanie energii poprzez odcinanie zasilania nieaktywnej struktury NAND (nawet gdy inne struktury w tej samej obudowie są aktywne), co znacznie zmniejsza pobór mocy w trybie czuwania.
- Inteligentne – innowacyjne nowe funkcje zmniejszają opóźnienia i zwiększają wytrzymałość w porównaniu z poprzednimi generacjami, a także ułatwiają integrację systemu.
Dostępność:
Moduł MLC 256 Gb jest już testowany u wybranych partnerów, a moduł 384 Gb będzie testowany pod koniec tego kwartału. Produkcja ma się rozpocząć w drugiej połowie 2015 roku.
Toshiba ogłosiła dziś również nową technologię 3D NAND.
Amazon