Podczas konferencji Flash Memory Summit (FMS) 2017 firma Samsung Electronics Co., Ltd. ogłosiła kilka nowych rozwiązań i technologii pamięci V-NAND (Vertical NAND). Wśród nich znalazł się pierwszy układ V-NAND o pojemności 1 TB, dysk SSD nowej generacji NGSFF (Next Generation Small Form Factor) o pojemności 16 TB, dysk Z-SSD o niższym opóźnieniu niż w przypadku NVMe oraz technologia dysków SSD o kluczowych wartościach. Nowe technologie mają na celu rozwiązanie takich problemów, jak potrzeba większej gęstości w mniejszych przestrzeniach, wzrost liczby aplikacji intensywnie przetwarzających dane ze względu na sztuczną inteligencję i technologie Internetu Rzeczy (IoT) oraz potrzeba coraz niższych opóźnień.
Co roku podczas targów FMS firma Samsung organizuje Dzień Technologii, podczas którego prezentuje najnowsze osiągnięcia technologiczne i przedstawia, w jaki sposób zamierza sprostać wyzwaniom przetwarzania danych nowej generacji. W tym roku firma prezentuje szeroką gamę nowych technologii V-NAND, które rozwiązują szereg problemów, z którymi borykają się głównie przedsiębiorstwa.
Ciekawym osiągnięciem w zakresie gęstości jest wprowadzenie układu V-NAND o pojemności 1 TB (terabita). Chociaż firma wspominała o tym po raz pierwszy, prezentując 3D V-NAND, przełom technologiczny nastąpił dopiero teraz. Samsung jest w stanie umieścić 16 układów o pojemności 1 TB na jednej matrycy, co daje 2 TB pojemności w pojedynczej obudowie V-NAND. To znacznie zwiększy gęstość dysków SSD bez konieczności zwiększania ich rozmiaru. Dla branż poszukujących większej gęstości w tej samej obudowie, Samsung może mieć rozwiązanie.
Mówiąc o wzroście gęstości, Samsung zaprezentował również nowy dysk SSD NGSFF o pojemności do 16 TB i wymiarach zaledwie 30.5 mm x 110 mm x 4.38 mm. Ten nowy dysk został zaprojektowany specjalnie dla serwerów 1U, które wymagają większej pojemności i wyższego IOPS. Samsung twierdzi, że pojedynczy serwer 1U można skalować do 576 TB (przy użyciu 36 nowych dysków SSD NGSFF) lub do ponad 1 PB w przestrzeni 2U poprzez dodanie kolejnego serwera. Firma twierdzi również, że połączone dyski mogą osiągnąć 10 milionów IOPS w przypadku losowego odczytu.
W zeszłym roku Samsung zaprezentował technologię Z-SSD, nie podając żadnych szczegółów . W tym roku firma zaprezentowała dysk Z-SSD, SZ985, ale wciąż brakuje wyjaśnienia, czym on właściwie jest ani jak działa. Nowy dysk ma podobno 15 mikrosekund opóźnienia odczytu, co jest lepsze niż w przypadku dysków SSD NVMe. Byłoby to niezwykle przydatne w przypadku analiz w czasie rzeczywistym lub w przypadku naprawdę szybkiej pamięci podręcznej serwerów. Czym tak naprawdę jest ta technologia lub Z-NAND, pozostaje tylko domysłem, ponieważ firma jest bardzo ostrożna, być może nawet zbyt ostrożna, ponieważ w tej chwili pracuje nad konkretnym produktem.
Wreszcie, Samsung wprowadził technologię dysków SSD z wartościami kluczowymi (Key Value), która usprawnia przetwarzanie złożonych zestawów danych, przyspieszając działanie istniejącej technologii NAND. Zamiast konwertować dane na bloki do przetworzenia, technologia przypisuje „klucz” lub konkretną lokalizację do każdej „wartości”, czyli fragmentu danych obiektowych – niezależnie od ich rozmiaru. Klucz umożliwia bezpośrednie adresowanie lokalizacji danych, co z kolei pozwala na skalowanie pamięci masowej. Ta nowa technologia przyniesie korzyści przede wszystkim serwisom społecznościowym i aplikacjom IoT.
Dostępność:
Technologia V-NAND o pojemności 1 TB na chip ma być dostępna w przyszłym roku. Samsung planuje masową produkcję nowych dysków SSD NGSFF w czwartym kwartale tego roku.
Amazon