Firma SK Hynix ogłosiła rozpoczęcie masowej produkcji 238-warstwowej pamięci flash 4D NAND. Zaprezentowana po raz pierwszy w sierpniu 2022 roku, pamięć ta stanowi znaczący krok naprzód w technologii NAND i wyróżnia się wydajnością produkcji, oferując wzrost o 34% w porównaniu z poprzednią generacją 176-warstwową.
Krótko mówiąc, nowa technologia NAND firmy SK Hynix opiera się na komórkach pamięci ułożonych w 238 pionowych warstwach, co pozwala na uzyskanie większej gęstości zapisu. Wykorzystuje architekturę stosu 4D, co pozwala na zwiększenie pojemności pamięci przy mniejszej powierzchni fizycznej w porównaniu z wcześniejszymi generacjami, takimi jak 3D NAND. Umożliwi to zastosowanie pakietów NAND o większej pojemności na płytach SSD. Dyski SSD z tą pamięcią NAND nie zostały jeszcze zaprezentowane, ale powinny pojawić się w kolejnej generacji dysków SSD, zarówno korporacyjnych, jak i klienckich, od SK Hynix i Solidigm.
Oprócz zwiększonej gęstości, 238-warstwowa pamięć flash NAND ma zapewnić wyjątkowy wzrost wydajności. Prędkość przesyłu danych wynosi 2.4 Gb/s, czyli o 50% więcej niż w poprzedniej generacji, a prędkość odczytu i zapisu jest o około 20% wyższa.
Po pomyślnych testach kompatybilności produktu z jednym z czołowych światowych producentów smartfonów, SK Hynix przygotowuje się również do dostarczenia 238-warstwowej pamięci flash NAND do smartfonów. Dzięki temu użytkownicy urządzeń mobilnych mogą spodziewać się lepszego doświadczenia użytkownika i lepszej ogólnej wydajności dzięki urządzeniom wyposażonym w tę nową, zaawansowaną technologię NAND.
Ten postęp przekłada się na poprawę konkurencyjności kosztowej, co pomaga firmie umocnić pozycję lidera w branży półprzewodników. Nawiasem mówiąc, Micron w swoim przekazie kładzie duży nacisk na swoją pozycję lidera w „wojnie warstw NAND”. Nowa pamięć NAND SK Hynix ponownie wyrównuje szanse, ponieważ obie firmy walczą o każdy dostępny procent udziału w rynku, aby zapewnić sobie drugie miejsce za Samsungiem.
Amazon