Firma Toshiba ogłosiła rozpoczęcie masowej produkcji pamięci flash NAND 24 nm tuż po Niedawne ogłoszenie firmy Intel dotyczące procesu technologicznego 25 nm.
Technologia 24 nm jeszcze bardziej zmniejszy rozmiar chipa. Toshiba zastosowała już technologię 24 nm w układach 64-gigabitowych z 2 bitami na komórkę, co pozwala im oferować do 8 GB pamięci na chip. Toshiba wyposażyła również swoją pamięć NAND 24 nm w moduł Toggle DDR, który zwiększa prędkość transferu danych.
Toshiba poinformowała, że planuje wprowadzić na rynek produkty 32-gigabitowe i 3-bitowe na komórkę, wytwarzane w technologii 24 nm. Nie podano jednak konkretnej daty.
Intel planuje wprowadzić do masowej produkcji pamięć flash NAND z 3 bitami na komórkę, zbudowaną w procesie technologicznym 25 nm, jeszcze w tym roku. Biorąc pod uwagę, że Toshiba dopiero wprowadza na rynek układy 24 nm z 2 bitami na komórkę, oznacza to, że Intel wyprzedza konkurencję. Intel twierdzi, że technologia 3 bitów na komórkę pozwala im uzyskać taką samą pojemność jak układ 2 bity na komórkę, ale w układzie o 20% mniejszym.
Amazon