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Kioxia e Sandisk planejam investir mais de US$ 31 bilhões em fábricas de NAND no Japão até 2032, com a Kitakami Fab3 prevista para o ano fiscal de 2029.

Empreendimento  ◇  Armazenamento Corporativo

A Kioxia e a Sandisk delinearam um plano conjunto de investimento de capital totalizando mais de US$ 31 bilhões (aproximadamente 5 trilhões de ienes) até 2032 para expandir a produção de memória flash 3D NAND avançada no Japão. O investimento planejado está condicionado a subsídios do governo japonês e se baseia na parceria de fabricação de 25 anos da joint venture, que já destinou mais de US$ 50 bilhões à infraestrutura de fabricação local.

Vista aérea do complexo fabril da joint venture Kioxia e Sandisk no Japão, com novas construções em andamento ao lado da fábrica existente.

O investimento financiará ferramentas avançadas, automação de salas limpas baseada em IA e expansão da infraestrutura nos principais centros de produção da joint venture, nas fábricas de Yokkaichi e Kitakami. Ambas as organizações visam garantir um crescimento plurianual da capacidade de armazenamento e estabilizar o fornecimento global de memória flash, à medida que a demanda por armazenamento de alta densidade se acelera em cargas de trabalho corporativas, infraestrutura de hiperescala, implantações de edge computing e arquiteturas de IA para clientes.

Construção da Fab3 em andamento na fábrica de Kitakami.

Em conjunto com o plano de investimentos, a Kioxia iniciou a preparação do terreno para a Fab3, uma nova fábrica de semicondutores localizada ao sul da Fab2, na planta de Kitakami, na província de Iwate. A Fab3 foi projetada para fabricar a tecnologia BiCS FLASH 3D NAND de próxima geração , com início da produção previsto para o ano fiscal de 2029. Os cronogramas finais de implantação, a construção das salas limpas e a instalação dos equipamentos serão ajustados em fases, com base na demanda do mercado e na alocação final de apoio governamental.

Vista aérea do campus da fábrica Kioxia Kitakami, na província de Iwate, local onde a Fab3 será construída ao sul da Fab2.

Essa expansão ocorre após o acordo de janeiro que estendeu formalmente a estrutura operacional da joint venture na unidade de Yokkaichi até dezembro de 2034. A estrutura da joint venture permite que ambas as empresas co-invistam em ativos de fabricação de wafers, compartilhem o desenvolvimento de tecnologia de processo e utilizem sistemas de manufatura inteligentes para aumentar a produtividade nas transições de nós de ponta.

Perspectivas de liderança sobre estratégia de longo prazo

A liderança executiva destacou que a aplicação contínua de capital continua sendo fundamental para manter a densidade de bits competitiva, a eficiência energética e a alta largura de banda necessária para plataformas de computação exigentes.

“Este investimento conjunto fortalece ainda mais nossa parceria de longa data com a Sandisk e reforça o forte compromisso da Kioxia em contribuir para o avanço de uma sociedade impulsionada pela IA”, disse Hiroo Ota, presidente e CEO da Kioxia. Ota também destacou o apoio estratégico do governo japonês como essencial para manter a competitividade da produção.

“Durante décadas, a Sandisk e a Kioxia desenvolveram em conjunto tecnologia de memória flash NAND de classe mundial”, disse David Goeckeler, presidente e CEO da Sandisk. Goeckeler afirmou que os investimentos planejados estão alinhados com a estratégia de negócios e as diretrizes financeiras da empresa, garantindo o fornecimento para a crescente demanda dos clientes e, ao mesmo tempo, criando novas oportunidades econômicas nas comunidades onde a joint venture opera.

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Haroldo Fritts

Estou na indústria de tecnologia desde que a IBM criou a Selectric. Minha formação, porém, é escrever. Então decidi sair do negócio de pré-vendas e voltar às minhas raízes, escrevendo um pouco, mas ainda envolvido com tecnologia.