A Samsung iniciou a produção em massa de SSDs SATA de 250 GB que integram o V-NAND de 6ª geração (camada 1xx) de 256 Gb e 3 bits da empresa para OEMs globais de PC. Com sua tecnologia 'channel hole etching', a Samsung indica que o novo V-NAND adiciona aproximadamente 40% mais células à estrutura anterior de pilha única de 9x camadas. Isso é feito construindo uma pilha de molde eletricamente condutora com 136 camadas e, em seguida, perfurando orifícios cilíndricos verticalmente de cima para baixo, o que cria células flash de armadilha de carga (CTF) 3D uniformes.
A Samsung iniciou a produção em massa de SSDs SATA de 250 GB que integram o V-NAND de 6ª geração (camada 1xx) de 256 Gb e 3 bits da empresa para OEMs globais de PC. Com sua tecnologia 'channel hole etching', a Samsung indica que o novo V-NAND adiciona aproximadamente 40% mais células à estrutura anterior de pilha única de 9x camadas. Isso é feito construindo uma pilha de molde eletricamente condutora com 136 camadas e, em seguida, perfurando orifícios cilíndricos verticalmente de cima para baixo, o que cria células flash de armadilha de carga (CTF) 3D uniformes.
Quando a altura da pilha de molde aumenta em cada área de célula, podem ocorrer erros e vulnerabilidades de latência de leitura. Para resolver isso, a Samsung integrou um projeto de circuito otimizado para velocidade que permite atingir a velocidade de transferência de dados mais rápida: menos de 450μs em gravações e 45μs em leituras. A Samsung indica um ganho de 10%+ no desempenho em relação à geração anterior, com redução de mais de 15% no consumo de energia. Como resultado, montando apenas três das pilhas atuais, a empresa afirma que oferecerá soluções V-NAND de próxima geração com mais de 300 camadas sem comprometer o desempenho ou a confiabilidade do chip.
A Samsung também diminuiu o número de orifícios de canal necessários para criar uma densidade de chip de 256 Gb para 670 milhões de orifícios (em comparação com mais de 930 milhões da geração anterior). Isso permitirá tamanhos de chip reduzidos, menos etapas de processo e uma melhoria de mais de 20% na produtividade de fabricação.
Espera-se que a Samsung ofereça SSD V-NAND de 512 bits e 3 Gb e eUFS durante o segundo semestre de 2019. Além disso, eles expandirão a produção de soluções V-NAND de 6ª geração de maior velocidade e maior capacidade em seu campus de Pyeongtaek (Coréia) a partir do próximo ano.
Inscreva-se no boletim informativo StorageReview
