Sandisk och Kioxia har båda börjat testa BiCS10 1Tb TLC 3D NAND, den 10:e generationen av BiCS-flashminnet som de två företagen utvecklar och tillverkar gemensamt. Tillkännagivandena sker parallellt eftersom tekniken delas: Sandisk bygger på högre densitet, snabbare gränssnitt och bättre energieffektivitet för dataintensiva arbetsbelastningar, medan Kioxia riktar sin version direkt mot SSD-diskar för företag och datacenter, byggda för att möta den växande efterfrågan på AI-lagring. Det är samma 332-lagers NAND från samma joint venture, som tillkännagivits från båda sidor.
Ett 332-lagers hopp i densitet
Den viktigaste förändringen handlar helt om lagren. BiCS10 staplar 332 lager och, i kombination med avancerad lateral skalning och förbättrad planlösningseffektivitet, når den en branschledande 1 TB TLC-minnestäthet på över 29 Gb/mm2. Jämfört med den 8:e generationens BiCS8-nod som för närvarande är i massproduktion, motsvarar det en förbättring av bitdensiteten med 59 %. Högre bitdensitet är det tal som är viktigast för köpare, eftersom det är det som sänker kostnaden per bit och låter hårddisktillverkare dra ut mer kapacitet från samma chiparea. Med 332 lager ligger BiCS10 i framkant av 3D NAND-stackracet, i samma klass som SK hynix 321-lagersgeneration och ett tydligt steg bortom 276-lagersnoderna som definierade den föregående vågen.
Snabbare gränssnitt, lägre strömförbrukning
BiCS10 TLC stöder en NAND-gränssnittshastighet på upp till 4.8 Gb/s, en förbättring på 33 % jämfört med 8:e generationens flashminne i massproduktion, vilket ger kontrollertillverkare den NAND-sidiga bandbredd som kommande PCIe Gen6-klass SSD-diskar kommer att behöva. Energieffektiviteten förbättras också, även om de två parterna kvantifierar det på olika sätt. Sandisk nämner en minskning av datainmatningseffekten med 10 % och en minskning av datainmatningseffekten med 34 % jämfört med BiCS8. Kioxia beskrivar vinsterna som förbättringar på 18 % respektive 30 % i skriv- och läseffektivitet. Hur som helst är riktningen densamma, och fördelen är mest betydelsefull i täta företag och datacenterinstallationer där NAND-kraften läggs till över tusentals hårddiskar.
Byggd på CBA, tillverkad i Kitakami
Båda företagen fortsätter att bygga vidare på CMOS Directly Bonded to Array (CBA)-teknik, där CMOS-logiken och minnesmatrisen tillverkas på separata wafers och sedan sammanfogas med wafer-till-wafer-justering. CBA, som först användes vid den åttonde generationen, paras här ihop med On-Pitch Select Gate Drain (OPS)-teknik, och BiCS10 utökar den grunden med en högre, tätare matris. Kioxia säger att 10:e generationens enheter kommer att tillverkas med toppmodern utrustning vid deras Kitakami Plant Fab2 i Iwate Prefecture, Japan.
Kioxia positionerade också BiCS10 inom vad de kallar en dubbelaxlig strategi, där de utvecklar två produktlinjer samtidigt: deras 9:e generationens teknik för hög prestanda till en lägre investeringskostnad, och deras 10:e generationens teknik, som bygger på avancerad lagerstapling för massiv kapacitet och högre prestanda. För Sandisk är milstolpen också en tidig markör som ett fristående företag efter separationen från Western Digital 2025, med BiCS10 bland deras första tillkännagivanden om nästa generations NAND under den oberoende Sandisk-bannern.
Tillgänglighet
BiCS10 1Tb TLC är i samplingsfasen, vilket innebär att enheterna skickas till partners för funktionell utvärdering innan bredare tillgänglighet, och exempelspecifikationerna kan skilja sig från massproduktion. Sandisk har inte delat någon tidslinje för massproduktion eller namngett de första kommersiella produkterna, medan Kioxia bara har bekräftat att produktionen är planerad vid sin Kitakami-anläggning Fab2. Med tanke på att båda företagen riktar BiCS10 mot företag, datacenter och AI-lagring, kommer de första hårddiskarna som använder den troligtvis att vara Gen6 högkapacitets-SSD-diskar för företag och hyperskala.
Amazon