SanDisk har tillkännagivit världens första 256 Gb 3-bit-per-cell (TLC) 48-lagers 3D NAND-chip med BiCS-teknik samt starten av 3D NAND-pilotproduktion i Yokkaichi, Japan, i ett gemensamt initiativ med sin partner Toshiba. SanDisks 256 Gb X3 BiCS-chip är byggt för ett brett spektrum av användningsområden, inklusive konsument-, klient-, mobil- och företagsprodukter. Båda företagen tillkännagav initialt utvecklingen av 48-lagers 3D NAND i slutet av mars i år.
Tidigare två-bitar-per-cell är BiCS en icke-flyktig minnesarkitektur som är designad för att ge förbättrade nivåer av densitet, skalbarhet och prestanda till flash-baserade enheter. SanDisk indikerar också att BiCS NAND-minne märkbart kommer att förbättra skriv- och raderingsuthållighet, skrivhastigheter och övergripande energieffektivitet jämfört med tidigare, konventionella 2D NAND.
Tillgänglighet
SanDisks 256 Gb X3 BiCS-chip är tänkt att levereras inuti företagets produkter någon gång under 2016.
Amazon