今天，Micron Technology, Inc. 宣布了 DRAM 缩放方面的一项新进展。 美光声称是第一家开始使用 16z nm 工艺技术量产 4Gb DDR1 产品的内存公司。 该公司还宣布批量出货采用基于 UFS 的多芯片封装 (uMCP16) 的 4Gb 低功耗双倍数据速率 4X (LPDDR4X) DRAM。
今天，Micron Technology, Inc. 宣布了 DRAM 缩放方面的一项新进展。 美光声称是第一家开始使用 16z nm 工艺技术量产 4Gb DDR1 产品的内存公司。 该公司还宣布批量出货采用基于 UFS 的多芯片封装 (uMCP16) 的 4Gb 低功耗双倍数据速率 4X (LPDDR4X) DRAM。
1z nm技术的量产标志着业界最小特征尺寸DRAM节点的研制和量产。 据说美光的新型 1z nm 16Gb DDR4 可提供更高的位密度和性能增强，同时成本低于 1Y nm 节点。 这项新技术更证明了美光在其计算 DRAM (DDR4)、移动 DRAM (LPDDR4) 和图形 DRAM (GDDR6) 产品线的性能和功耗创新方面的努力。 更小封装中的功率和性能改进将是人工智能、自动驾驶汽车、5G、移动设备和游戏等新兴技术的理想选择。
如上所述，较小的节点可以带来多种好处。 这些优势包括功耗降低高达 40%（与上一代基于 8Gb DDR4 的产品相比）。较低的功耗对于寻求更长电池寿命的移动设备非常重要。开始向 1z nm 过渡让美光在为客户提供新利益的条款。
