闪迪和铠侠均已开始提供BiCS10 1Tb TLC 3D NAND闪存样品，这是两家公司联合开发和生产的第十代BiCS闪存。两家公司同时发布公告，是因为双方共享相同的技术：闪迪强调其产品具有更高的密度、更快的接口速度和更高的能效，能够满足数据密集型工作负载的需求；而铠侠则将其产品瞄准企业级和数据中心固态硬盘，以满足日益增长的人工智能存储需求。双方发布的都是来自同一合资企业的同一款332层NAND闪存。
密度跃升332层
此次重大变革的关键在于层数。BiCS10 采用 332 层堆叠结构，结合先进的横向扩展技术和更高的芯片布局效率，实现了业界领先的 1Tb TLC 存储密度，超过 29 Gb/mm²。与目前正在量产的第八代 BiCS8 节点相比，位密度提升了 59%。更高的位密度对买家而言至关重要，因为它能降低每比特成本，并使制造商能够在相同的芯片面积上实现更高的容量。凭借 332 层结构，BiCS10 在 3D NAND 堆叠技术竞赛中处于领先地位，与 SK 海力士的 321 层架构处于同一水平，并明显超越了定义上一代技术的 276 层节点。
更快的接口，更低的功耗
BiCS10 TLC 支持高达 4.8 Gb/s 的 NAND 接口速度，相比量产的第八代闪存提升了 33%，为控制器制造商提供了即将推出的 PCIe Gen6 级 SSD 所需的 NAND 端带宽。能效也得到了提升，尽管两家合作伙伴给出的量化数据有所不同。Sandisk 声称数据输入功耗降低了 10%，数据输出功耗降低了 34%（与 BiCS8 相比）。Kioxia 则表示写入和读取能效分别提升了 18% 和 30%。无论采用哪种方式，提升的方向都是一致的，并且在密集型企业和数据中心部署中，NAND 功耗累积到数千个硬盘时，这种优势尤为显著。
基于 CBA，北上制造
两家公司均继续推进CMOS直接键合阵列（CBA）技术的发展。在该技术中，CMOS逻辑和存储阵列分别在不同的晶圆上制造，然后通过晶圆对晶圆的对准键合在一起。CBA技术最初应用于第八代产品，此次与间距选择栅漏（OPS）技术相结合，而BiCS10在此基础上进一步扩展，采用了更高、更密集的阵列。铠侠表示，第十代器件将采用最先进的设备，在其位于日本岩手县北上工厂Fab2的生产基地制造。
铠侠（Kioxia）将BiCS10定位在其所谓的双轴战略之下，同时推进两条产品线：一是第九代技术，旨在以更低的投资成本实现高性能；二是第十代技术，该技术采用先进的层叠技术，以实现大容量和更高性能。对于闪迪（SanDisk）而言，这一里程碑也是其在2025年从西部数据（Western Digital）分拆后成为独立公司的早期标志，BiCS10是闪迪独立品牌下发布的首批下一代NAND闪存产品之一。
可用性
BiCS10 1Tb TLC 闪存目前处于样品阶段，这意味着在正式上市前，这些设备将送至合作伙伴进行功能评估，因此样品规格可能与量产产品有所不同。SanDisk 尚未公布量产时间表或首批商业产品名称，而 Kioxia 仅确认计划在其北上工厂 Fab2 进行生产。鉴于两家公司都将 BiCS10 的目标市场定位为企业级、数据中心和 AI 存储，首批采用该技术的硬盘很可能是第六代高容量企业级和超大规模 SSD。
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