SanDisk宣布推出全球首款采用BiCS技术的256Gb 3位/单元（TLC）48层3D NAND闪存芯片，并宣布与合作伙伴东芝在日本四日市启动3D NAND中试生产线。SanDisk的这款256Gb X3 BiCS芯片适用于包括消费电子、客户端、移动设备和企业级产品在内的广泛应用场景。两家公司于今年3月下旬首次宣布了48层3D NAND闪存的研发计划。
BiCS 以前是每单元两位，是一种非易失性存储器架构，旨在为基于闪存的设备提供更高级别的密度、可扩展性和性能。 SanDisk 还表示，与之前的传统 2D NAND 相比，BiCS NAND 内存将显着提高写入和擦除耐久性、写入速度和整体能效。
可用性
SanDisk 的 256 Gb X3 BiCS 芯片计划于 2016 年的某个时候在公司产品中发货。
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