SK海力士在8月4日至6日于圣克拉拉会议中心举行的“2026年未来存储大会”上，展示了其涵盖HBM、服务器DRAM、NAND和CXL扩展的全面“全栈式”AI内存产品组合。该公司重点展示了向智能体AI的转型，以及从关注单个产品性能转向集成内存架构的必要性。SK海力士与三星共同展示了其3D内存路线图，我们已另行报道。
分层存储器和高带宽闪存
SK海力士在本次展会上发表了第三场主题演讲，主题为“在智能体AI时代，通过分层内存构建高效的AI基础设施”。演讲由执行副总裁兼解决方案开发负责人金春成和副总裁兼下一代产品规划负责人姜旭松共同完成。他们的观点是：随着AI代理处理的数据量呈指数级增长，内存架构必须演进为“分层内存”系统。金春成表示：“决定整体效率的关键在于每个内存层（HBM、DRAM、NAND（HBF）和SSD）的布局以及如何连接才能最大限度地减少数据移动。”
高带宽闪存 (HBF)是这一分层策略的重要组成部分。SK 海力士将 HBF 描述为一种新型内存技术，它采用类似于 HBM 的 TSV 堆叠技术，以平衡传统 NAND 的容量和 DRAM 的带宽。HBF 定位在超高速 HBM 和高容量 SSD 之间，旨在提高系统可扩展性并降低运营成本。
展会亮点：HBM4 和 375 层 NAND
展厅重点展示了几个重要的硬件里程碑：
- 下一代 HBM： SK海力士将一款HBM4型号与NVIDIA的下一代Vera Rubin加速器型号并排展示，以说明两家公司的技术如何融合。展品包括其首款12层48GB HBM4E的实物单元。 7月份进行采样16层48GB HBM4和12层36GB HBM3E。
- 375层4D NAND： 这是该公司首款采用晶圆键合技术的NAND产品。其每瓦性能是上一代产品的2.5倍。基于该NAND的企业级固态硬盘计划于2027年上半年量产。
- 高容量eSSD： PS1101 是一款基于 QLC 闪存的 eSSD，其性能比上一代 176 层固态硬盘提升约 55%。预计将于 2026 年 8 月开始向主要云服务提供商交付样品。
- 边缘人工智能解决方案： LPDDR6、LPDDR5/5X、UFS 4.1 和 UFS 5.0 产品作为物理 AI 和低功耗边缘设备的解决方案进行了展示，SK 海力士表示，将在其移动和客户端 SSD 产品中应用数据感知放置和媒体感知分层技术，以实现边缘推理。
CXL 和内存计算演示
SK海力士通过多个现场演示展示了Compute Express Link (CXL)的实际应用。其中一个演示利用CXL Pooled Memory管理分布式AI代理系统中的KV缓存，显著提升了性能，优于传统的基于网络的通信方式。另一个演示则使用CMM-Hybrid将KV缓存预取到DRAM中，同时将主缓存保留在SSD上，以实现高容量存储。
该公司还推出了CMM-Ax，这是一种内存计算解决方案，它将计算能力嵌入内存中，以加速长上下文LLM推理。SK海力士关于高效长上下文LLM服务的相关研究成果已被MICRO 2026接收，该公司指出，MICRO 2026是计算机体系结构领域最负盛名的会议。
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