HGST 宣布將擴展英特爾 NAND 閃存技術的使用，作為與英特爾公司就串行連接 SCSI (SAS) SSD 達成的合作協議的一部分。 自 2008 年以來，HGST 與英特爾成功合作，為服務器、工作站和存儲系統開發了企業級 SAS 固態硬盤，從而產生了將 HGST 的企業存儲經驗與英特爾的 NAND 閃存專業知識相結合的產品。
憑藉英特爾對 NAND 閃存技術研究和 SSD 開發的專注和投資，他們將能夠提供下一代 NAND 光刻技術的進步，並提供高耐用性 SSD 技術。 這與 HGST 在 SAS 設計、固件、可靠性、客戶資格和系統集成方面的企業存儲專業知識相結合，將使他們能夠提供具有企業存儲客戶所需的性能、耐用性和可靠性的解決方案。
HGST 和英特爾的合作已經生產了四代 HGST SAS 固態硬盤，因此，HGST 計劃在未來三年內繼續在其企業級 SAS 固態硬盤中使用英特爾的 NAND 閃存技術。 此外，這些解決方案將繼續由 HGST 獨家營銷和銷售，並且是 HGST 全面的 HDD、SSD、軟件和解決方案產品組合的一部分，可幫助數據中心經理在今天構建未來的 IT 基礎設施。 另一方面，這筆交易為英特爾保護了 SATA SSD 空間，而兩家公司都生產基於 PCIe 的存儲解決方案。
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