美光科技宣布推出一系列高產量人工智慧記憶體和儲存產品 英偉達 GTC 2026其中最引人注目的是其 HBM4 36GB 12 層堆疊、192GB SOCAMM2 模組和 Micron 9650 PCIe Gen6 資料中心 SSD。
美光HBM4
这 HBM4 36GB 12H 規格的記憶體產品將於 2026 年第一季開始量產，專為 NVIDIA Vera Rubin 平台設計。美光官方數據顯示，該記憶體的引腳傳輸速度超過 11 Gb/s，頻寬超過 2.8 TB/s。與 HBM3E 相比，美光錶示其頻寬提升了 2.3 倍，能源效率提高了 20% 以上。
美光也透露，其高容量HBM4晶片的研發也取得了進展：採用16晶片堆疊結構的48GB 16H HBM4晶片樣品已交付給客戶。與36GB 12H HBM4晶片相比，此晶片的單晶片容量提升了33%。
除了 HBM4 之外，美光的 SOCAMM2 產品現在也已納入整個推廣計畫中。 英偉達 Vera Rubin 該系統。 192GB SOCAMM2 記憶體條已實現量產，其容量範圍涵蓋 48GB 至 256GB。這些記憶體條專為 NVIDIA Vera Rubin NVL72 系統和獨立 NVIDIA Vera CPU 平台設計。美光錶示，此配置可為每個 CPU 提供高達 2TB 的記憶體容量和 1.2TB/s 的頻寬。
美光 9650
在儲存方面，美光已將其 PCIe Gen6 資料中心固態硬碟投入大規模生產。 美光 9650 據稱，這是首款量產的 PCIe Gen6 資料中心 SSD。它專為基於 NVIDIA BlueField-4 STX 參考架構的 AI 訓練和推理工作負載而設計，也適用於液冷環境。
這款固態硬碟的順序讀取速度高達 28 GB/s，隨機讀取 IOPS 高達 550 萬。美光也表示，它的讀取效能是第五代固態硬碟的兩倍，每瓦效能提升 100%。
兩種版本：PRO 和 MAX
Micron 9650 提供兩種設定：PRO 和 MAX。兩款型號均採用 G9 TLC NAND，並提供 E1.S 和 E3.S 兩種外形尺寸，支援現代資料中心部署標準。
美光 9650 PRO
- 容量：7.68 TB 至 30.72 TB
- 順序讀取/寫入速度：28,000 / 14,000 MB/s
- 隨機讀取：5.4萬至5.5萬IOPS
- 隨機寫入：500,000–570,000 IOPS
- 耐久性：每天寫入 1 次硬碟，持續五年
美光 9650 MAX
- 容量：6.4 TB 至 25.6 TB
- 順序讀取/寫入速度：28,000 / 14,000 MB/s
- 隨機讀取：5.4萬至5.5萬IOPS
- 隨機寫入：最高可達 900,000 IOPS
- 耐力：五年內每天工作 3 天
這兩款硬碟的最大功耗均為 25 瓦，在 50°C 環境下平均故障間隔時間 (MTBF) 為 2.5 萬小時，並支援進階安全性和合規性功能。此外，這兩款硬碟也相容於 GPU 直通技術和液冷環境。
Micron 的 Gen5 產品線與該產品並行推出，Micron 7600 和 9550 SSD 被列為設計資料中心系統的客戶的其他選擇。
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