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美光開始量產HBM4、PCIe Gen6 SSD和192GB SOCAMM2,供NVIDIA使用。維拉·魯賓

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在NVIDIA GTC 2026大會上,美光發布了一系列大量生產的 AI 記憶體和儲存產品,其中最引人注目的是其 HBM4 36GB 12 層堆疊、192GB SOCAMM2 模組以及美光 9650 PCIe Gen6 資料中心 SSD。

美光HBM4

美光HBM4

這款HBM4 36GB 12H 產品將於 2026 年第一季開始量產,專為 NVIDIA Vera Rubin 平台設計。美光官方數據顯示,其引腳速度超過 11 Gb/s,頻寬超過 2.8 TB/s。與 HBM3E 相比,該公司表示頻寬提升了 2.3 倍,能源效率提高了 20% 以上。

美光也透露,其高容量HBM4晶片的研發也取得了進展:採用16晶片堆疊結構的48GB 16H HBM4晶片樣品已交付給客戶。與36GB 12H HBM4晶片相比,此晶片的單晶片容量提升了33%。

除了 HBM4 之外,美光 (Micron) 的 SOCAMM2 產品也已加入到NVIDIA Vera Rubin系統的部署計畫中。 192GB 的 SOCAMM2 記憶體條已實現量產,並且是 48GB 至 256GB 容量產品線的一部分。這些記憶體條專為 NVIDIA Vera Rubin NVL72 系統和獨立的 NVIDIA Vera CPU 平台而設計。美光錶示,此配置可實現高達 2TB 的記憶體容量和每顆 CPU 1.2TB/s 的頻寬。

美光 9650

在儲存方面,美光已將其 PCIe Gen6 資料中心 SSD 投入量產。美光 9650被譽為首款量產的 PCIe Gen6 資料中心 SSD。它專為基於 NVIDIA BlueField-4 STX 參考架構的 AI 訓練和推理工作負載而設計,並且適用於液冷環境。

Micron 9650 SSD 固態硬碟(第 02 組)朝右,黑色背景

這款固態硬碟的順序讀取速度高達 28 GB/s,隨機讀取 IOPS 高達 550 萬。美光也表示,它的讀取效能是第五代固態硬碟的兩倍,每瓦效能提升 100%。

兩種版本:PRO 和 MAX

Micron 9650 提供兩種設定:PRO 和 MAX。兩款型號均採用 G9 TLC NAND,並提供 E1.S 和 E3.S 兩種外形尺寸,支援現代資料中心部署標準。

美光 9650 PRO

  • 容量:7.68 TB 至 30.72 TB
  • 順序讀取/寫入速度:28,000 / 14,000 MB/s
  • 隨機讀取:5.4萬至5.5萬IOPS
  • 隨機寫入:500,000–570,000 IOPS
  • 耐久性:每天寫入 1 次硬碟,持續五年

美光 9650 MAX

  • 容量:6.4 TB 至 25.6 TB
  • 順序讀取/寫入速度:28,000 / 14,000 MB/s
  • 隨機讀取:5.4萬至5.5萬IOPS
  • 隨機寫入:最高可達 900,000 IOPS
  • 耐力:五年內每天工作 3 天

這兩款硬碟的最大功耗均為 25 瓦,在 50°C 環境下平均故障間隔時間 (MTBF) 為 2.5 萬小時,並支援進階安全性和合規性功能。此外,這兩款硬碟也相容於 GPU 直通技術和液冷環境。

Micron 的 Gen5 產品線與該產品並行推出,Micron 7600 和 9550 SSD 被列為設計資料中心系統的客戶的其他選擇。

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萊爾·史密斯

Lyle 是 StorageReview 的撰稿人,文章涵蓋了廣泛的終端使用者和企業 IT 主題。