在2011年快閃記憶體媒體高峰會上，快閃記憶體是所有與會者關注的熱門話題。美光科技在該市場佔據核心地位，其產品涵蓋從NAND快閃晶片到RealSSD m4/C400固態硬碟等終端用戶產品的各個環節，影響力巨大。儘管快閃記憶體的普及速度前所未有地加快，但大多數製造商都在思考：下一步是什麼？對美光科技而言，3D NAND快閃記憶體就是下一個重大突破。
在過去的一年裡，美光的消費產品部門出現了大幅增長，市場滲透率從 1% 躍升至 10%，這要歸功於 RealSSD m4 等新型固態硬盤的大量廣告宣傳。 該驅動器還標誌著美光的首款 25 納米驅動器。 儘管大多數零售購物者仍在應對從 3 納米到 2 納米閃存的下降，但美光和其他公司正在研究下一次光刻縮小以及他們將如何應對這種變化。
正如許多人很快意識到隨著閃存下降到 25 納米，耐久性成為一個重要問題，因為寫入周期隨著 NAND 的每次縮小而減少。 新宣布的 20nm 和 1xnm 的下降繼續推動極限，讓許多人考慮即將發生的事情。 在 Glen Hawk 的美光主題演講中，美光瞥見了他們即將推出的 3D NAND，它更加強調堆疊，而不僅僅是繼續縮小芯片尺寸。 這樣做的好處是放寬了縮小工藝以增加密度的限制，而是在多層上工作。 下面的照片展示了平面閃存和 3D NAND 之間的區別，展示了原型 NAND 橫截面中緊密堆積的層。
雖然還有幾年的時間，但它確實表明了市場的發展方向，NAND 仍將在存儲市場佔據強勢地位。 美光不會確定（其他人也不會）新的閃存何時上架，除非未來幾年平面閃存達到其極限。 消費者和企業客戶應該從中吸取的主要一點是，即使在矽本身的芯片縮小極限已經達到之後，NAND 閃存仍然有壽命。
Amazon