三星宣布已開始量產其256Gb 3D V-NAND閃存，該快閃記憶體基於48層3位MLC陣列，用於固態硬碟（SSD）。此前不久，閃迪（SanDisk）於上8月3日發布了類似公告。
此前，三星於2014年2月首次發表了第二代V-NAND（32層3位元MLC V-NAND）晶片。僅僅一年後，該公司就將傳統128Gb NAND快閃記憶體晶片的密度提升至256Gb 3D V-NAND，這意味著單晶片即可儲存32GB（或256Gb）的記憶體。此外，這款新晶片也使該公司現有SSD產品的容量翻倍，從而能夠生產TB級SSD。
V-NAND 芯片的每個單元都利用相同的 3D 電荷陷阱閃存 (CTF) 結構。 電池陣列垂直堆疊，形成一個 48 層高的體塊，由於獨特的蝕刻技術，該體塊通過大約 1.8 億個貫穿陣列的通道孔進行電氣連接。 三星表示，每個芯片總共包含超過 85.3 億個單元，能夠存儲 3 位數據。 這導致在不大於一角硬幣的芯片上產生 256 億位數據（例如 256Gb）。
此外，三星聲稱他們的 48 層 3 位 MLC 256Gb V-NAND 閃存芯片與存儲閃存的 30 層 32 位 MLC、3Gb V-NAND 芯片相比，能效降低了 128% 以上。相同數量的數據。 該公司還補充說，新芯片在生產過程中的生產效率也比其 40 層前代芯片高出約 32%，從而顯著提高了成本效益。
庫存情況
三星計劃到 3 年製造其第三代 V-NAND。除了推出密度為 2015TB 及更高的 SSD 外，該公司還表示將增加面向企業和數據中心存儲市場的高密度 SSD 銷量，使用 PCIe NVMe 和SAS 接口。
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