閃迪和鎧俠都已開始提供BiCS10 1Tb TLC 3D NAND快閃記憶體樣品，這是兩家公司共同開發和生產的第十代BiCS快閃記憶體。兩家公司同時發佈公告，是因為雙方共享相同的技術：閃迪強調其產品具有更高的密度、更快的接口速度和更高的能效，能夠滿足數據密集型工作負載的需求；而鎧俠則將其產品瞄準企業級和數據中心固態硬碟，以滿足日益增長的人工智能存儲需求。雙方發布的都是來自同一合資企業的同一款332層NAND快閃記憶體。
密度躍升332層
此次重大變革的關鍵在於層數。 BiCS10 採用 332 層堆疊結構，結合先進的橫向擴展技術和更高的晶片佈局效率，實現了業界領先的 1Tb TLC 儲存密度，超過 29 Gb/mm²。與目前正在量產的第八代 BiCS8 節點相比，位元密度提升了 59%。更高的位元密度對買家而言至關重要，因為它能降低每位元成本，並使製造商能夠在相同的晶片面積上實現更高的容量。憑藉 332 層結構，BiCS10 在 3D NAND 堆疊技術競賽中處於領先地位，與 SK 海力士的 321 層架構處於同一水平，並明顯超越了定義上一代技術的 276 層節點。
更快的接口，更低的功耗
BiCS10 TLC 支援高達 4.8 Gb/s 的 NAND 介面速度，相比量產的第八代快閃記憶體提升了 33%，為控制器製造商提供了即將推出的 PCIe Gen6 級 SSD 所需的 NAND 端頻寬。能源效率也得到了提升，儘管兩個合作夥伴給出的量化數據有所不同。 Sandisk 聲稱資料輸入功耗降低了 10%，資料輸出功耗降低了 34%（與 BiCS8 相比）。 Kioxia 則表示寫入和讀取能效分別提升了 18% 和 30%。無論採用哪種方式，提升的方向都是一致的，並且在密集型企業和資料中心部署中，NAND 功耗累積到數千個硬碟時，這種優勢尤為顯著。
基於 CBA，北上製造
兩家公司均持續推動CMOS直接鍵結陣列（CBA）技術的發展。在該技術中，CMOS邏輯和儲存陣列分別在不同的晶圓上製造，然後透過晶圓對晶圓的對準鍵合在一起。 CBA技術最初應用於第八代產品，此次與間距選擇柵漏（OPS）技術相結合，而BiCS10在此基礎上進一步擴展，採用了更高、更密集的陣列。鎧俠表示，第十代裝置將採用最先進的設備，在其位於日本岩手縣北上工廠Fab2的生產基地製造。
鎧俠（Kioxia）將BiCS10定位在其所謂的雙軸戰略之下，同時推進兩條產品線：一是第九代技術，旨在以更低的投資成本實現高性能；二是第十代技術，該技術採用先進的層疊技術，以實現大容量和更高性能。對於閃迪（SanDisk）而言，這一里程碑也是其在2025年從西部數據（Western Digital）分拆後成為獨立公司的早期標誌，BiCS10是閃迪獨立品牌下發布的首批下一代NAND閃存產品之一。
庫存情況
BiCS10 1Tb TLC 快閃記憶體目前處於樣品階段，這意味著在正式上市前，這些裝置將送至合作夥伴進行功能評估，因此樣品規格可能與量產產品有所不同。 SanDisk 尚未公佈量產時間表或首批商業產品名稱，而 Kioxia 僅確認計劃在其北上工廠 Fab2 進行生產。鑑於兩家公司都將 BiCS10 的目標市場定位為企業級、資料中心和 AI 存儲，首批採用該技術的硬碟很可能是第六代高容量企業級和超大規模 SSD。
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