SanDisk宣布推出全球首款採用BiCS技術的256Gb 3位元/單元（TLC）48層3D NAND快閃晶片，並宣布與合作夥伴東芝在日本四日市啟動3D NAND中試生產線。 SanDisk的這款256Gb X3 BiCS晶片適用於包括消費性電子、用戶端、行動裝置和企業級產品在內的廣泛應用場景。兩家公司於今年3月下旬首次宣布了48層3D NAND快閃記憶體的研發計畫。
BiCS 以前是每單元兩位，是一種非易失性存儲器架構，旨在為基於閃存的設備提供更高級別的密度、可擴展性和性能。 SanDisk 還表示，與之前的傳統 2D NAND 相比，BiCS NAND 內存將顯著提高寫入和擦除耐久性、寫入速度和整體能效。
庫存情況
SanDisk 的 256 Gb X3 BiCS 芯片計劃於 2016 年的某個時候在公司產品中發貨。
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